分析機構紛降預測,2012年**芯片或現(xiàn)衰退

時間：2025-12-11

作者：深圳市凱高達科技有限公司

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日本京都大學工學院成功開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導體器件
日本京都大學工學院須田淳準教授和木本恒暢教授的研究組近日利用碳化硅（SiC）材料成功開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導體器件。10月23日該研究組宣布了這一消息。該研究小組于今年6月已開發(fā)出可耐2萬伏**高壓的半導體二極管器件，隨后又成功對**高壓環(huán)境下構成功率變換電路的開關器件和整流器件實施了技術驗證。研究組在高壓環(huán)境下通過采用避免電場集中的結構設計和表面保護技術，利用碳化硅（SiC）半導體材料實現(xiàn)了可
晶圓代工業(yè)軍備競賽再度展開臺積電與聯(lián)電擴產腳步絲毫不敢松懈
晶圓代工廠臺積電與聯(lián)電同步積極擴廠，12寸晶圓產能為兩公司擴產重點；晶圓代工業(yè)軍備競賽再度展開。盡管半導體產業(yè)今年成長恐將趨緩，**半導體業(yè)產值將僅較去年小幅成長2%至3%，不過，臺積電與聯(lián)電擴產腳步絲毫不敢松懈。繼臺積電于4月9日舉行南科晶圓14廠*5期新建工程動土典禮后，聯(lián)電也將跟進于5月24日舉行南科12A廠*5期及*6期廠房動土典禮。為滿足客戶28奈米制程強勁需求，以及加速20奈米制
2012年**前5大半導體廠資本支出占**半導體資本支出達64%
2012年**半導體廠仍擴增資本支出，但集中在前幾大晶圓廠身上，涵蓋**前5大半導體廠三星電子（Samsung Electronics）、英特爾（Intel）、臺積電、海力士（Hynix）和GlobalFoundries，其2012年的資本支出占**半導體資本支出達64%。根據(jù)市調機構IC Insights統(tǒng)計，2012年**半導體產業(yè)資本支出約614億美元，相較于2011年656億美元約下滑6
今年半導體管座用硅出廠量將維持去年同等水平
據(jù)預測，今年半導體管座用硅出廠量將維持去年同等水平。國際半導體裝備材料協(xié)會（SEMI）10月11日預測，今年**半導體用硅出廠量將為89億100萬平方英寸（in2），同比去年出廠量（88億1300萬in2）增長了1%。半導體管座核心材料——硅出廠量自2010年刷新了歷史較高紀錄后（91億2100萬平方英寸）去年呈現(xiàn)了小幅下降，預計今年也無望呈大幅增長。 SEMI社長表示，雖然經濟不確定性不斷增