MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時(shí)間：2015-08-26作者：長春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：154

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  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4

• 0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動(dòng)源

  0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動(dòng)源 （型號：TEC-300W-15A-20） 可用于控制激光器件、 醫(yī)療器件、半導(dǎo)體器件、紅外探測器、光電倍增管、或其它任何需要溫度控制的地方。該產(chǎn)品采用現(xiàn)代較新電力電子器件和高速微處理器(MPU)程序控制技術(shù)，以及PWM調(diào)制、雙向電源、PID調(diào)節(jié)技術(shù)，具有優(yōu)良的電壓、電流輸出特性，開關(guān)機(jī)時(shí)無過沖、反沖、浪涌現(xiàn)象，并帶有過流、過溫、欠溫等保護(hù)電路，以及一組常

• 0-45A??高精度積木式LD半導(dǎo)體激光器恒流源

  0-45A??高精度積木式LD半導(dǎo)體激光器恒流源 (型號：PWR-45A-20V) 應(yīng)用范圍：LD激光器驅(qū)動(dòng)光纖激光器激光打標(biāo)機(jī)高頻調(diào)Q激光 優(yōu)點(diǎn)：**：結(jié)構(gòu)簡單且容易實(shí)現(xiàn)任意大小電流輸出，使用子模塊搭積木式結(jié)構(gòu)，客戶維護(hù)方便快捷。 *二：基于子模塊高精度、高效率的特點(diǎn)，系統(tǒng)也具有精度高，效率**高特點(diǎn)。 *三：系統(tǒng)母板上再設(shè)過流、過熱保護(hù)，使得恒流源半導(dǎo)體激光器橫流驅(qū)動(dòng)源高可靠性。

• MJL4302A測試記錄

  MJL4302A測試記錄 測試目的：測試MJL4302A的合格率 測試項(xiàng)目： 1.測試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 2.測試正向飽和壓降 測試工具： 20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源、三極管MJL4302A、DF-80A 測試具體方法： 1.測試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源的高壓輸出端測試三極管MJL4302A的Vceo，具體連線圖如下（下文的20K