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詞條說明
在交流回路中,應當有:min(U1mA)≥(2.2~2.5)Uac,式中Uac為回路中的交流工作電壓的有效值。 上述取值原則主要是為了保證壓敏電阻在電源電路中應用時,有適當?shù)陌踩6取?對直流而言在直流回路中,應當有:min(U1mA)≥(1.6~2)Udc,式中Udc為回路中的直流額定工作電壓。在交流回路中,應當有:min(U1mA)≥(2.2~2.5)Uac,式中Uac為回路中的交流工作電壓
MLCC(片狀多層陶瓷電容)現(xiàn)在已經(jīng)成為了電子電路較常用的元件之一。MLCC外表看來,十分簡略,但是,許多情況下,設(shè)計工程師或出產(chǎn)、工藝人員對MLCC的認識卻有缺乏的當?shù)亍S行┕驹贛LCC的應用上也會有一些誤區(qū),認為MLCC是很簡略的元件,所以工藝要求不高。其實,MLCC是很軟弱的元件,應用時必定要留意。-以下談談MLCC應用上的一些問題和留意事項。- 跟著技術(shù)的不斷發(fā)展,貼片電容MLCC現(xiàn)在
哪些因素會導致高壓電容器的損耗 通常將電容器在電場作用下因發(fā)熱而消耗的能量稱為電容器的損耗。習慣上以損耗角正切tgδ表示電容器損耗的大小,而把tgδ稱為損耗因數(shù)。 高壓電容器能量的損耗分為介質(zhì)損耗和金屬損耗兩部分。介質(zhì)損耗包括介質(zhì)的漏電流所引起的電導損耗以及介質(zhì)較化引起的較化損耗等。金屬損耗包括金屬較板和引線端的接觸電阻引起的損耗。由于各種金屬材料的電阻率不同,金屬損耗隨頻率和溫度增高而增大的程
晶片電阻又稱厚膜晶片電阻或金屬膜電阻和片式電阻,不管哪個各種名稱都是根據(jù)它的膜層厚度、形狀及膜層材料來區(qū)分 在這里,很多人都會誤以為厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻的區(qū)別在于膜的厚度,實際上厚膜晶片電阻和薄膜晶片電阻分別由它們代表的不同工藝特征來區(qū)分,比如說厚膜晶片電阻利用絲網(wǎng)印刷將道題漿料和電阻漿料掩模在絕緣板上,制成相應的圖形最后經(jīng)過加熱制作而成,薄膜晶片電阻則利用蒸發(fā)和濺射等制作技術(shù),兩者有這本
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