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PN8386產品描述:PN8386集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(264VAC)小于50mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較
5V1.2A小功率適配器芯片方案采用是原邊反饋電源芯片PN8366,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW,是一種高性能的源邊反饋(PSR)和單片開關電源控制器,專為具有電流模式控制的小型電源設備設計,PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,驪微電子用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源,較大限度
PN8368產品描述:PN8368集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8368為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級能效標準,可調輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較
PN8366產品描述:PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V),用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8366為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路,可實現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。在恒壓模式,采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6
公司名: 深圳市驪微電子科技有限公司
聯(lián)系人: 易善波
電 話: 13808858392
手 機: 13808858392
微 信: 13808858392
地 址: 廣東深圳寶安區(qū)恒豐工業(yè)城B11棟5樓東
郵 編:
網(wǎng) 址: tangyinju.cn.b2b168.com
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聯(lián)系人: 易善波
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電 話: 13808858392
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