原廠STC4614 規(guī)格NP40V 10A 25mΩ SOP-8應(yīng)用于按摩器主板

時(shí)間：2020-03-03作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：1163

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  描述stp4925是雙P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯使用的是高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對(duì)國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，筆記本電腦電源管理，和其他電池供電的電路，高側(cè)開關(guān)特征-30V / -7.2a，RDS（上）= 20mΩ（典型值@ VGS = - 10V-30V / -5.6a，RDS（上）= 25mΩ@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計(jì)

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  STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以

• STC6301D

  STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強(qiáng)模式電場(chǎng)效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v