原廠STC4614 規(guī)格NP40V 10A 25mΩ SOP-8應用于按摩器主板

時間：2020-03-03

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
STC6301D
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強模式電場效應晶體管mos戰(zhàn)壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用如電源管理，其中高側開關、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
司坦森/STANSON 細說MOS管
一、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場效應管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應管。二、MOS管的構造。MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏較D和源較S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個
STANSON原廠現貨STP4435參數P30V 10A用于車燈可替代Si9804、AO4419
STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制，以
企業(yè)文化
STANSON技術形成于1981年，業(yè)務集中于出口當時的半導體設備和零件。此后，她逐漸轉型為材料和零部件銷售。 1996年，由于市場需求，司坦森科技在閩臺成立子公司，設計/開發(fā)半導體器件，如電晶體、莫斯菲特、二極管及IC設計。為了進一步加強對中國客戶的支持，司坦森科技在閩臺和深圳設立了銷售辦事處。司坦森提供各種規(guī)格的寬產品線的總電源解決方案。這包括監(jiān)管者，如液晶顯示器/電視、dsc、磁盤陣