臺產(chǎn)STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原廠庫存充足

時間：2020-01-05作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：570

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  詞條說明

• 臺產(chǎn)MOS管 STN4438 參數(shù)N60V 8.5A用于風(fēng)扇 原廠交貨快

  STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述stn4438是N溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A，RDS（ON）＝3

• STP413D P40V 12A用于掃地機(jī) 可替代AOD413A、UT5504、UTD413

  STP413D TO-252 P40V 12A替代UT5504、UTD413閩臺司坦森原廠直銷描述STP413D是P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。的stp413d已特別設(shè)計，以提高直流/直流轉(zhuǎn)換器的整體效率，無論是使用同步或傳統(tǒng)的開關(guān)型脈寬調(diào)制控制器。它已被優(yōu)化為低柵電荷，低的RDS（on）和快速開關(guān)速度。特征-40V / -12.0a，RDS（上）= 36mΩ

• 臺灣STANSON廠家STC4614 規(guī)格參數(shù)NP40V 10A

  描述STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的STC4614 參數(shù)：N溝道40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）@ VGS = 10V40V／6A，RDS

• 細(xì)說MOS管（二）

  從上文《細(xì)說MOS管（一）》的內(nèi)容，大家已經(jīng)初步了解什么是MOS管，還有就是MOS的基本構(gòu)造，今天小編繼續(xù)帶領(lǐng)大家深入了解MOS管的構(gòu)造原理以及應(yīng)用領(lǐng)域，j今天我們來繼續(xù)深入了借MOS管，基于《細(xì)說MOS管一》的基礎(chǔ)上，首先我們可以看看MOS管的構(gòu)造圖：結(jié)合上圖和之前的知識點，我們將MOS管的知識劃分成九個問題分類點來進(jìn)行深入了解（如果還沒看過細(xì)說MOS管一的話，先可以點擊鏈接入口《細(xì)說MOS管一