MOS管失效原因是什么？

時間：2019-12-18作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：621

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• MOS管失效原因是什么？

  MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩 端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面，排名**的是消費類電子電源適配器產(chǎn)

• STANSON品牌STC6614 雙溝道NP60V 7A應(yīng)用于風(fēng)扇

  STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK產(chǎn)品描述STC6614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力,并提供優(yōu)越的開關(guān)性能.該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的。參數(shù)N溝道60V /10A，RDS（ON）= 35mΩ（典型值

• STANSON 貼片MOS STN442D 規(guī)格書N60V 37A 應(yīng)用于按摩椅主板 原廠直銷交貨快

  STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60V / 20.0a，RDS（上）= 24mΩ（典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a，RDS（上）= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設(shè)計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2

• 企業(yè)文化

  STANSON技術(shù)形成于1981年，業(yè)務(wù)集中于出口當(dāng)時的半導(dǎo)體設(shè)備和零件。此后，她逐漸轉(zhuǎn)型為材料和零部件銷售。 1996年，由于市場需求，司坦森科技在閩臺成立子公司，設(shè)計/開發(fā)半導(dǎo)體器件，如電晶體、莫斯菲特、二極管及IC設(shè)計。 為了進(jìn)一步加強對中國客戶的支持，司坦森科技在閩臺和深圳設(shè)立了銷售辦事處。 司坦森提供各種規(guī)格的寬產(chǎn)品線的總電源解決方案。這包括監(jiān)管者， 如液晶顯示器/電視、dsc、磁盤陣