熔斷器要怎么選？

時間：2020-05-12作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：735

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  詞條說明

• 什么品牌的進(jìn)口晶閘管好

  進(jìn)口晶閘管很多大公司做的價格比較有優(yōu)勢。ABB可控硅，ABB晶閘管是ABB官方授權(quán)的正規(guī)代理商，可控硅都是ABB瑞士原裝進(jìn)口、質(zhì)量比較可靠，價格比較有優(yōu)勢，另外售前售后的技術(shù)支持比較周到。?進(jìn)口晶閘管主要廠家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX?，SAN

• 英飛凌IGBT模塊

  可控硅有多種分類方法。（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

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  WESTCODE相控可控硅平板形IXYS UK Westcode ltd 西碼提供行業(yè)內(nèi)較全面的標(biāo)準(zhǔn)相位控制晶閘管(相控可控硅)。電壓范圍從600V到4500V的設(shè)備是可用的，使它們適用于電壓從230V到1000V以上的線路(我們的中壓晶閘管現(xiàn)在提供更高的電壓應(yīng)用)。IXYS UK Westcode ltd是一家良好的相位控制產(chǎn)品供應(yīng)商，產(chǎn)品涉及工業(yè)直流驅(qū)動器、感應(yīng)熔煉、船舶/鐵路推進(jìn)系統(tǒng)、風(fēng)力發(fā)