詞條
詞條說(shuō)明
igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IG的柵較通過(guò)一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此,IG失效的常見(jiàn)原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此,在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn):使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí),在觸摸之前,用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電;使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),請(qǐng)勿在接線前連接模塊;igbt模塊
? ? ? 隔離式開(kāi)關(guān)電源一般采用由整流管構(gòu)成的整流橋,亦可直接選用成品整流橋,完成橋式整流。全波橋式整流器簡(jiǎn)稱(chēng)硅整流橋,它是將四只硅整流管接成橋路形式,再用塑料封裝而成的半導(dǎo)體器件。它具有體積小、使用方便、各整流管的參數(shù)一致性好等優(yōu)點(diǎn),可廣泛用于開(kāi)關(guān)電源的整流電路。硅整流橋有4個(gè)引出端,其中交流輸入端、直流輸出端各兩個(gè)。? ? ? &n
? ? ? IGBT是能源變換與傳輸?shù)?*器件,俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用較廣。? ? ? IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙較型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器
? ? ? ?整流橋具有體積小,使用方便等特點(diǎn),在家用電器和工業(yè)電子電路中應(yīng)用 非常廣泛.常用的小功率整流橋有全橋和半橋之分.全橋是將四只硅整流 二極管接成橋路的形式, 常見(jiàn)的型號(hào)有 QL52~QL61 系列,PM104M 和 BR300 系列等.半橋有三種結(jié)構(gòu):一種是將兩只二較 管順向串聯(lián),在結(jié)點(diǎn)處引出一電極(如 2CQ1 型),另一 種是將兩只二極管背靠
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