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詞條說明
igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IG的柵較通過一層氧化膜與發(fā)射器隔離。由于氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此,IG失效的常見原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此,在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn):使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí),在觸摸之前,用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電;使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),請勿在接線前連接模塊;igbt模塊
可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異?,F(xiàn)象
可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異?,F(xiàn)象在實(shí)際應(yīng)用中,可控硅模塊中不一定總是有直流偏置電壓。非極性鉭電容器也可以制造,但價(jià)格昂貴,儲(chǔ)存后可能無法使用。如果兩個(gè)相同的可控硅模塊背靠背連接,則可以獲得非極性電容??傠娙轂槊總€(gè)串聯(lián)電容的一半,即C/2。在連接電源的瞬間,萬用表的表針應(yīng)具有較大的擺動(dòng)幅度。可控硅模塊的容量越大,表針的擺動(dòng)幅度越大。擺動(dòng)后,表針可逐漸返回到零位。如果可控硅模塊的指針在電
? ? IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是絕緣柵雙較型晶體管。從功能上來說,IGBT就是一個(gè)電路開關(guān),優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制,飽和壓降小,耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級(jí)、電流幾十到幾百安量級(jí)的強(qiáng)電上的。而且IGBT不用機(jī)械按鈕,它是由計(jì)算機(jī)控制的。所以有了IGBT這種開關(guān),就可以設(shè)計(jì)出一類電路,通過計(jì)算機(jī)控制IGB
? ? ? ?整流橋通常帶有足夠大的電感性負(fù)載,因此整流橋不會(huì)出現(xiàn)電流斷續(xù)。整流橋負(fù)載端常接有平波電抗器,可將整流橋負(fù)載視為恒流源。整流橋的作用:1.可將交流發(fā)動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?,以?shí)現(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池進(jìn)行充電2.限制蓄電池電流倒轉(zhuǎn)回發(fā)動(dòng)機(jī),保護(hù)交流發(fā)動(dòng)機(jī)不被燒壞。
公司名: 江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司
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地 址: 江蘇蘇州昆山開發(fā)區(qū)朝陽東路109號(hào)億豐機(jī)電城北樓A201
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