詞條
詞條說(shuō)明
石英晶振按屬性可劃分為石英晶體振蕩器也可稱(chēng)為有源晶振和石英晶體諧振器既無(wú)源晶振。那這兩者有和區(qū)別呢,小揚(yáng)帶大家簡(jiǎn)單了解一下。一、無(wú)源產(chǎn)品結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,有源產(chǎn)品相對(duì)復(fù)雜?無(wú)源晶振結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,主要由按照一定形狀切割后的石英晶片和兩個(gè)電級(jí)板組成,其自身無(wú)法振蕩,需要電容電阻等元器件起振。無(wú)源晶振通常只有兩個(gè)腳是功能腳,其余引腳并無(wú)功能性。?有源晶振通常是由一個(gè)石英晶體諧振器+震蕩電路+
晶體諧振器構(gòu)造?先,晶體諧振器里面的晶體指的是石英晶體,化學(xué)式是二氧化硅SiO2。石英的特點(diǎn)是:熱膨脹系數(shù)小、Q值高、絕緣等。石英可以做成晶體諧振器,主要是利用了壓電效應(yīng)。壓電效應(yīng)又分為正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng),以下是百度百科對(duì)其的定義:意思對(duì)應(yīng)下圖:↓晶體的構(gòu)造示意圖如下:↓上圖左邊是晶體構(gòu)造的示意圖,右邊是我們常見(jiàn)的晶振的符號(hào)根據(jù)對(duì)之前壓電效應(yīng)的理解,晶體可以將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能,然后機(jī)械能又能轉(zhuǎn)
國(guó)產(chǎn)晶振替代——YXC國(guó)產(chǎn)髙精度溫補(bǔ)晶振,用于衛(wèi)星導(dǎo)航、雷達(dá)、基站
在髙精度雷達(dá)和導(dǎo)航應(yīng)用領(lǐng)域中,時(shí)鐘穩(wěn)定性和準(zhǔn)確定位是兩大關(guān)鍵因素。由于雷達(dá)系統(tǒng)需要準(zhǔn)確測(cè)量目標(biāo)的距離、速度和方位,而導(dǎo)航系統(tǒng)則要求髙精度地確定位置和規(guī)劃路徑,因此這些應(yīng)用都對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的精度提出了較高要求。 TCXO(溫度補(bǔ)償晶體振蕩器)憑借其優(yōu)越的性能,能夠提供高穩(wěn)定性的時(shí)鐘信號(hào),成為雷達(dá)和導(dǎo)航系統(tǒng)中的理想選擇,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)準(zhǔn)確定位場(chǎng)景。YXC髙精度溫補(bǔ)晶振系列,溫度穩(wěn)定性蕞高:±0.1ppm
巨薄低功耗心電貼—YSX211SL精度高的優(yōu)異性能 高頻率穩(wěn)定性與環(huán)境適應(yīng)能力
隨著醫(yī)療技術(shù)的進(jìn)步,心電監(jiān)護(hù)設(shè)備在日常生活和醫(yī)療領(lǐng)域中起到了至關(guān)重要的作用。而無(wú)源晶振 YSX211SL 作為一種優(yōu)勢(shì)的心電貼產(chǎn)品,以其特別的優(yōu)勢(shì)在市場(chǎng)上備受矚目。YSX211SL 采用了2016年較新的貼片金屬封裝和晶體諧振器技術(shù),結(jié)合陶瓷焊縫工藝制作,為心電監(jiān)護(hù)設(shè)備提供了高質(zhì)量的時(shí)鐘源。它具有出色的精度高和高頻率穩(wěn)定性,能夠保持穩(wěn)定的信號(hào)輸出,確保連續(xù)采集心電信號(hào)的準(zhǔn)確性。心電貼?Y
公司名: 深圳揚(yáng)興科技有限公司
聯(lián)系人: 蔡欽洪
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小型化YOV1409SM 恒溫振蕩器OCXO 小體積SMD 溫度穩(wěn)定度正5ppb

高穩(wěn)YOV2020DP 國(guó)產(chǎn)化恒溫晶振 全國(guó)產(chǎn)材料 尺寸20.2x20.2x10 電壓3.3V和5V

差分溫補(bǔ)晶振YSO251PJ 頻率15至2100MHz 低相位抖動(dòng)0.25ps typ. 3.3V

高頻差分振蕩器YSO211PJ 156.25MHZ 2.5V FS50PPM LVDS 負(fù)40至85度 OI8BIB112156.25M

表晶YT38 32.768KHZ 12.5PF FS10PPM X308032768KGB2SCM

晶體 無(wú)源晶振 YSX530SC 8MHZ 20PF FS20PPM 負(fù)40至125度 XB50328MSB2SA18

石英差分振蕩器YSO231LJ 156.25MHZ 3.3V FS50PPM 負(fù)40至85度 LVPECL OL3EIC112156.25M

石英溫補(bǔ)壓控振蕩器YSV531PT 10MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引FS8PPM CMOS VT8EIFVT10M
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