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目前來說對于可編程晶振的頻率的方面都是有不同的頻率的,因為現(xiàn)在不同的,因為不同的企業(yè)可能使用可編程晶振是不同的,對于頻率方面也要根據(jù)頻率而定了,目前來說晶振的頻率范圍有:頻率范圍大方位覆蓋,滿足多樣化需求:??CMOS可編程晶振:1~200MHz寬廣選擇,為您的基礎(chǔ)應(yīng)用提供穩(wěn)定的支持。??可編程差分晶振:高達(dá)2100MHz的高.性能,滿足高速傳輸數(shù)據(jù)與信號處理的高標(biāo)準(zhǔn)要求。?&
BMS電池管理系統(tǒng)的智能保護者:YSO110TR精度高全溫范圍內(nèi)穩(wěn)定
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電池管理系統(tǒng)(BMS)作為新能源電池的保護系統(tǒng),逐漸在各個領(lǐng)域展現(xiàn)出其重要性和廣泛應(yīng)用。而在BMS系統(tǒng)中,寬電壓有源晶振 YSO110TR成為了關(guān)鍵的組件之一,其優(yōu)異性能為電池管理系統(tǒng)的穩(wěn)定運行提供了強大的支持。寬電壓有源晶振?YSO110TR的優(yōu)勢在于其精度高和穩(wěn)定性。10MHz的頻率下,其全溫范圍內(nèi)總頻差僅為±30PPM,這意味著即使在嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振的
對于可編程晶振調(diào)整頻率可以直接使用說明進(jìn)行操作。晶體振蕩器單元的實際驅(qū)動電平在驅(qū)動電平規(guī)格內(nèi)。晶振作為電子產(chǎn)品中的必需品,廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域,存在各種問題,如晶振異常振蕩頻率、晶振異常振蕩頻率包括無頻率信號號輸出以及實際振蕩頻率與標(biāo)稱頻率的差異等。過高的驅(qū)動電平可能導(dǎo)致較高的振蕩頻率或較大的R1。如何衡量駕駛水平如果實際負(fù)載電容與規(guī)格中規(guī)定的負(fù)載電容不同,實際振蕩頻率可能與晶體單元的標(biāo)稱頻率不同。
YXC可編程晶振,頻點100MHz,封裝5032,應(yīng)用于AI服務(wù)器
隨著大數(shù)據(jù)、云計算、人工智能及物聯(lián)網(wǎng)等網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的普及,充斥在互聯(lián)網(wǎng)中的數(shù)據(jù)呈現(xiàn)幾何倍數(shù)的增長,這對以?CPU 為主要算力來源的傳統(tǒng)服務(wù)提出了嚴(yán)重的考驗,且數(shù)據(jù)的增加卻還在持續(xù),因此須提升服務(wù)器的數(shù)據(jù)處理能力。在這種大環(huán)境下,AI 儲存器應(yīng)運而生。?AI儲存器,是一種用于處理人工智能相關(guān)任務(wù)的性能高計算機。它有強大的計算能力和存儲能力,能夠快速處理大量的數(shù)據(jù)和復(fù)雜的算法。與傳統(tǒng)的
公司名: 深圳揚興科技有限公司
聯(lián)系人: 蔡欽洪
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小型化YOV1409SM 恒溫振蕩器OCXO 小體積SMD 溫度穩(wěn)定度正5ppb
高穩(wěn)YOV2020DP 國產(chǎn)化恒溫晶振 全國產(chǎn)材料 尺寸20.2x20.2x10 電壓3.3V和5V
差分溫補晶振YSO251PJ 頻率15至2100MHz 低相位抖動0.25ps typ. 3.3V
高頻差分振蕩器YSO211PJ 156.25MHZ 2.5V FS50PPM LVDS 負(fù)40至85度 OI8BIB112156.25M
表晶YT38 32.768KHZ 12.5PF FS10PPM X308032768KGB2SCM
晶體 無源晶振 YSX530SC 8MHZ 20PF FS20PPM 負(fù)40至125度 XB50328MSB2SA18
石英差分振蕩器YSO231LJ 156.25MHZ 3.3V FS50PPM 負(fù)40至85度 LVPECL OL3EIC112156.25M
石英溫補壓控振蕩器YSV531PT 10MHZ 3.3V 負(fù)40至85度 牽引FS8PPM CMOS VT8EIFVT10M
公司名: 深圳揚興科技有限公司
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