【三坐標(biāo)測(cè)量?jī)x】基本構(gòu)成

時(shí)間：2021-06-17作者：深圳瑞程科技有限公司瀏覽：570

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• 詞條

  詞條說明

• 偏光應(yīng)力儀測(cè)試原理

  探測(cè)器 依分辨率高低檔次由低**常用的探測(cè)器有NaI晶體閃爍計(jì)數(shù)器，充氣(He，Ne，Ar，Kr，Xe等)正比計(jì)數(shù)管器、HgI2晶體的探測(cè)器、半導(dǎo)體致冷SiPIN探測(cè)器、高純硅晶體的探測(cè)器、高純鍺晶體的探測(cè)器、電致冷或著液氮致冷Si(Li)鋰漂移硅晶體的探測(cè)器、Ge(Li)鋰漂移鍺探測(cè)器等。 目前常用的是電致冷或液氮致冷Si(Li)鋰漂移硅晶體的探測(cè)器、SiPIN探測(cè)器、高純的硅晶體探測(cè)器。探測(cè)器

• 殘余應(yīng)力儀原理是什么？

  殘余應(yīng)力儀原理是什么？1、X射線衍射法測(cè)量殘余應(yīng)力的原理：基于著名的布拉格方程2dsinθ=nλ ：即一定波長(zhǎng)的X射線照射到晶體材料上，相鄰兩個(gè)原子面衍射時(shí)的X射線光程差正好是波長(zhǎng)的整數(shù)倍。通過測(cè)量衍射角變化Δθ從而得到晶格間距變化Δd，根據(jù)胡克定律和彈性力學(xué)原理，計(jì)算出材料的殘余應(yīng)力。2、盲孔法測(cè)量殘余應(yīng)力的原理：假設(shè)一個(gè)各向同性材料上某一區(qū)域內(nèi)存在一般狀態(tài)的殘余應(yīng)力場(chǎng)，其較大、較小主應(yīng)力分別為

• 等離子清洗機(jī)起到的作用

  (A)對(duì)材料表面的刻蝕作用物理作用 等離子體中的大量離子、激収態(tài)分子、自由基等多種活性粒子，作用到固體樣品表面，清除了表面原有的污染物和雜質(zhì)，而且會(huì)產(chǎn)生刻蝕作用，將樣品表面變粗糙，形成許多微細(xì)坑洼，增大了樣品的比表面。提高固體表面的潤(rùn)濕性能。(B)激活鍵能，交聯(lián)作用 等離子體中的粒子能量在 0~20eV，而聚合物*部分的鍵能在 0~10eV，因此等離子體作用到固體表面后，可以將固體表面的原有的化

• 大氣壓等離子清洗機(jī)有哪些模式可選

  大氣壓等離子有三種效果模式可選。一是選用 氬氣/氧氣 組合，主要面向非金屬材料并且要求較高的處理效果時(shí)采用。 二是選用 氬氣/氮?dú)?組合，主要面向待處理產(chǎn)品有不能被處理的金屬區(qū)域，因氧氣的強(qiáng)氧化作用，替換為此方案中的氮?dú)夂?，該問題可以加以控制。三是只采用氬氣的情況，只采用氬氣也可以實(shí)現(xiàn)表面改性，但是效果相對(duì)較低。此種情況較特殊，是少數(shù)工業(yè)客戶需要有限度的同時(shí)均勻的表面改性時(shí)采用的方案。大氣壓式等離