顯微鏡測試倍數(shù)計(jì)算

時(shí)間：2020-03-20作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：209

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  詞條說明

• 失效分析項(xiàng)目介紹

  作為研發(fā)較怕遇到的事情之一就是芯片失效的問題，好端端的芯片突然異常不能正常工作了，很多時(shí)候想盡辦法卻想不出問題在哪。的確，芯片失效是一個(gè)非常讓人頭疼的問題，它可能發(fā)生在研發(fā)初期，可能發(fā)生在生產(chǎn)過程中，還有可能發(fā)生在終端客戶的使用過程中。造成的影響有時(shí)候也非常巨大。 作為各種元器件的載體與電路信號傳輸?shù)臉屑~，PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的較為重要而關(guān)鍵的部分，其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)

• 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• 半導(dǎo)體技術(shù)公益課：芯片流片前的物理驗(yàn)證

  半導(dǎo)體技術(shù)公益課 2020年4月18日（周六） 題 目: 芯片流片前的物理驗(yàn)證 簡 介: 1.**部分drc； 2.*二部分lvs； 時(shí) 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產(chǎn)品工程師 時(shí) 間 : 11:00-11:10 題 目：芯片失效分析方法及流程 簡 介：失效分析方法； 失效分析流程； 失效分析案例； 失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹。 分享時(shí)長：45分鐘 主 講人：趙俊紅就職于科委檢測中心，集成電

• 半導(dǎo)體芯片失效分析

  半導(dǎo)體芯片失效分析 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: 檢測內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測），屬于無損檢查: X-Ra