可控硅模塊

時(shí)間：2021-04-16作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：255

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門(mén)康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【可控硅模塊】可控硅模塊特點(diǎn)

  可控硅模塊特點(diǎn)1、整流結(jié)構(gòu)先進(jìn)采用先進(jìn)出口變壓器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)大大提高了整流效率節(jié)約了能源并使整機(jī)體積、重量大為減小，可靠性大為提高。2、控制特性良好采用的控制電路與國(guó)際主流可控硅控制電路可完全互換，該控制電路它具有自動(dòng)穩(wěn)壓/穩(wěn)流、自動(dòng)電流密度、0-180秒任意調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)等良好控制功能，并可通過(guò)接口實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)控制，是目前先進(jìn)的可控硅控制系統(tǒng)。工作穩(wěn)定、抗干擾能力強(qiáng)、穩(wěn)流/穩(wěn)壓精度高、使用壽命長(zhǎng)。3、工作

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT結(jié)構(gòu)

  IGBT結(jié)構(gòu)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙較晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源較（即發(fā)射較E）。N基較稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵較（即門(mén)較G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

  IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上

• 【二極管模塊】二極管的主要分類

  點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小，不能通過(guò)較大的正向電流和承受較高的反向電壓，但它的高頻性能好，適宜在高頻檢波電路和開(kāi)關(guān)電路中使用。面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大，可以通過(guò)較大的電流，也能承受較高的反向電壓，適宜在整流電路中使用。平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開(kāi)關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小，用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大。穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅