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英飛凌IGBT模塊FZ800R12KE3IGBT


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  • 詞條

    詞條說明

  • 英飛凌可控硅的作用

    在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,精確控制大功率電流是核心技術(shù)之一。作為電力電子領(lǐng)域的核心元器件,可控硅(Thyristor)發(fā)揮著不可替代的作用。而在眾多品牌中,英飛凌可控硅以其卓越的性能和可靠性,成為行業(yè)內(nèi)的成員產(chǎn)品。一、可控硅的基本原理與結(jié)構(gòu)特點(diǎn)可控硅是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)大功率半導(dǎo)體器件,其基本結(jié)構(gòu)由P-N-P-N四層半導(dǎo)體材料組成,形成三個(gè)PN結(jié)。這種特殊結(jié)構(gòu)使得可控硅具有單向?qū)щ娦?,同時(shí)又

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  • 淮安進(jìn)口吸收電容產(chǎn)品用途

    進(jìn)口吸收電容在電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵作用進(jìn)口吸收電容作為電子電路中的重要元件,在電力電子領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。這類高性能電容主要來自德國(guó)、日本等電子產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國(guó),以其卓越的可靠性和穩(wěn)定的性能贏得了全球市場(chǎng)的認(rèn)可。在電力電子系統(tǒng)中,進(jìn)口吸收電容主要用于吸收電路中因開關(guān)動(dòng)作、電感儲(chǔ)能釋放等產(chǎn)生的瞬態(tài)過電壓,有效保護(hù)IGBT、MOSFET等敏感元件免受電壓沖擊損壞。我們企業(yè)長(zhǎng)期代理英飛凌、歐派克、日本三社

  • 鹽城英飛凌IGBT模塊的種類及優(yōu)缺點(diǎn)

    在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為關(guān)鍵器件,融合了MOSFET的快速開關(guān)特性與雙極型晶體管的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢(shì),具備高輸入阻抗、高速開關(guān)和低導(dǎo)通損耗等突出特點(diǎn)。英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè),其IGBT產(chǎn)品矩陣豐富,覆蓋從低壓消費(fèi)電子到高壓工業(yè)、汽車及新能源應(yīng)用等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹英飛凌IGBT模塊的主要種類及其優(yōu)缺點(diǎn),幫助讀者更好地理解其在電力電子系統(tǒng)中的重要作用。

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