2019"熔斷器技術與應用”論壇圓滿舉辦

時間：2019-10-29作者：東莞市寰達電子有限公司瀏覽：187

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  詞條說明

• 2019"熔斷器技術與應用”論壇圓滿舉辦

  4月18日，由西安交通大學倡導，全國熔斷器標準化技術委員會秘書處主辦，西安中熔電氣承辦的第一屆“熔斷器技術與應用“論壇在西安圓滿舉辦。 作為國內(nèi)首個熔斷器領域的專業(yè)化論壇，本次論壇特邀請12位行業(yè)專家及百名國內(nèi)外著名企業(yè)代表、應用客戶、大學、研究所齊聚一堂，圍繞熔斷器產(chǎn)品 技術的發(fā)展、應用及標準化等議題在會議上作了主題報告。 首先，出席本次論壇的全國熔斷器標準化技術委員會主任委員季慧玉致開幕辭，并

• 高壓熔斷器的實際維護保養(yǎng)方式

  1，務必選用靠譜生產(chǎn)廠家生產(chǎn)制造的規(guī)范熔體，禁止用銅或鋁絲替代熔體應用，更不容許用銅線將斷路器捆扎?。?2，高壓熔斷器的安裝品質(zhì)是不是考慮技術規(guī)范規(guī)定、熔管安裝視角是不是有25度上下往下傾角； 3，熔體融斷后應拆換新的同規(guī)格型號熔體，不能將融斷后的熔體聯(lián)接起來又裝進熔管中再次應用。 4，應按時對高壓熔斷器開展巡查，晚間巡查可發(fā)覺有沒有放天藍色火花放電，若有放電狀況會伴隨嘶嘶的放電聲響造成。 5，應

• 先試后買的高效節(jié)能電源設計方法

  圖1：柵極驅(qū)動評估平臺包括主板、兩個插件柵極驅(qū)動器模塊，以及支持高達5千瓦輸出功率的散熱器和風扇。 碳化硅MOSFET具有較低的導通電阻，可以在開關狀態(tài)之間快速地來回切換。因此，它們比絕緣柵雙極晶體管（IGBT）消耗的功率小得多，IGBT具有較慢的關斷速度和較高的關斷開關功率損耗。此外，碳化硅的寬帶隙使碳化硅器件能夠在高壓下工作。相反，硅基MOSFET不能同時實現(xiàn)高阻斷電壓和低導通電阻。因此，碳