R190CH12FKO快速西碼平板可控硅圓餅硅

時間：2025-11-17

作者：上海聚肯電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
如何保護可控硅不被損壞
1、過電壓保護晶閘管對過電壓很敏感，當正向電壓**過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓**過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產生原因及抑制過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統來不及轉換，或者系統中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現為雷擊等外來沖擊引起
DYNEX可控硅晶閘管DCR3910Y22 DCR4060V20礦山電氣設備**
DYNEX可控硅晶閘管DCR3910Y22 DCR4060V20礦山電氣設備** 上海聚肯電子科技有限公司主要經營電力電子器件包括功率模塊、可控硅模塊、整流橋模塊、二極管模塊/IGBT驅動電路和驅動板、單三相整流橋模塊、快恢復二極管、肖特基二極管等。主要品牌包括:英飛凌、歐派克、IXYS艾賽斯、西門康、三菱、新電源、東芝、IR、西門子、WESTCODE ，POSEICO，ABB，英達、ST等功率
可控硅壞的原因
1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制較上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制較附近或就在控制較上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。
一篇文章帶你重新認識可控硅
? ? ? 可控硅的PN結比三極管多了半個，它有兩個P型半導體和兩個N型半導體組成，我們把它看做是漢堡的話，底層的是N型半導體，上面的是P型半導體，再上面又是N型半導體，后一層也還是P型半導體，它總共有四層半導體，N型半導體和P型半導體交錯互織在一起，而里面就夾雜著三個PN結，我們在*二層的P型半導體中接出引線，就成了可控硅的控制較，在*四層接引線稱作陽極，在下面的N