淺析肖特基二管損壞的具體原因

時(shí)間：2021-10-20作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：454

深圳市維品佳科技有限公司專(zhuān)注于AC-DC電源芯片,開(kāi)關(guān)電源芯片,適配器電源芯片,7805晶體管,7812晶體管,MOS場(chǎng)效應(yīng)管,電源IC,三管代理商,肖特基二管等, 歡迎致電 13714234168

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• CR6339原邊電源IC參數(shù)有哪些？

  主要特點(diǎn)? 恒壓和恒流控制? 全電壓輸出電壓精度可達(dá)±5%? 內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源??內(nèi)置高壓?MOSFET? 原邊控制模式，無(wú)需?TL431?和光耦? 非連續(xù)模式下的反激拓?fù)? 具有軟啟動(dòng)功能? 頻率抖動(dòng)? 恒流和輸出功率可調(diào)? 內(nèi)置次級(jí)電壓采樣控制器? 可調(diào)式線(xiàn)損補(bǔ)償? 欠壓鎖定? 逐周期電流限制? 峰值電流限制? 過(guò)溫保護(hù)? 過(guò)壓保護(hù)和電源箝位? 內(nèi)置消隱?

• 驅(qū)動(dòng)控制芯片電源適配器CR6248 5V2.4A 應(yīng)用資料

  5V2.4A驅(qū)動(dòng)控制芯片電源適配器CR6248應(yīng)用資料本文講述了一個(gè)基于原邊控制方式的充電器/適配器設(shè)計(jì)，包括芯片的特征和詳細(xì)的工作原理，以及設(shè)計(jì)技巧。CR6248 芯片特性：?● CR6248 內(nèi)置 600V 高壓功率 MOSFET，反激式原邊檢測(cè) PWM 功率開(kāi)關(guān)；● 內(nèi)置軟啟動(dòng)，減小 MOSFET 的應(yīng)力，內(nèi)置斜坡補(bǔ)償電路；● 較低的 IC 功耗；● 具有頻率抖動(dòng)功能，使其具有良好

• 肖特基二管的優(yōu)缺點(diǎn)

  肖特基二管的優(yōu)勢(shì)SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面：1）由于肖特基勢(shì)壘高度PN結(jié)勢(shì)壘高度，故其正向?qū)ê驼驂航刀急萈N結(jié)二管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，不同于PN結(jié)二管的反向恢復(fù)時(shí)間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非?？?，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。肖特基二管

• MBR10150 TO-220F：滿(mǎn)足多種電子設(shè)備需求

  MBR10150 TO-220F：滿(mǎn)足多種電子設(shè)備需求的理想選擇MBR10150 TO-220F是一款廣泛適用于多種電子設(shè)備的理想IC。它是一款具有高效率、低噪聲、低熱量的電源管理IC，適用于各種應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于微控制器、LED驅(qū)動(dòng)器、無(wú)線(xiàn)設(shè)備等。首先，MBR10150 TO-220F的效率極高，這使得它在節(jié)能環(huán)保的現(xiàn)代社會(huì)中具有巨大的優(yōu)勢(shì)。它能夠在低負(fù)載和空閑時(shí)間里進(jìn)入睡眠模式，從而顯著降