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半導體激光器又稱激光二極管,由于其用半導體材料做為工作物質(zhì)的特性因此被稱作半導體激光器。半導體激光器由光纖耦合半導體激光器模塊、合束器件、激光傳能光纜、電源系統(tǒng)、自動控制系統(tǒng)及機械結(jié)構(gòu)等組成的,在電源系統(tǒng)和自動控制系統(tǒng)的驅(qū)動和監(jiān)控下實現(xiàn)激光輸出。半導體激光器的常用工作物質(zhì)主要分為化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。針對不同的工作物質(zhì)主要由以下三種激勵方式:電注
調(diào)Q技術(shù)又叫Q開關(guān)技術(shù),是將一般輸出的連續(xù)激光能量壓縮到寬度較窄的脈沖中**,從而使光源的峰值功率可提高幾個數(shù)量級的一種技術(shù)。一、調(diào)Q激光晶體**原理利用光致爆破原理,激光所集聚高能量瞬間**,使得固定波長的激光在較短時間內(nèi)瞬間穿透表皮到達病變組織,相應(yīng)色基團吸收光能受熱急速膨脹瞬間爆破碎裂,病變組織的色基將逐漸變淡直至消失,而周圍正常皮膚組織由于不吸收固定波長的激光故幾乎無任何損傷。激光能產(chǎn)生一
被動調(diào)Q激光器開關(guān)晶體領(lǐng)域中的三款產(chǎn)品
被動調(diào)Q開關(guān)晶體和可飽和吸收體差不多,能夠被用作被動調(diào)Q激光器中的激光諧振腔質(zhì)量調(diào)制器,其基本原理區(qū)別于主動調(diào)Q方式的電控調(diào)制器。一般,這些吸收原材料的飽和通量(單位面積的飽和能量)很低,它們在聚焦光線中應(yīng)用時會大幅度降低飽和能量(飽和通量乘光束面積)。接下來光寶光電就給大家介紹一下在被動調(diào)Q激光器開關(guān)晶體領(lǐng)域,其中的三款產(chǎn)品。Cr4+:YAG晶體中文名摻鉻釔鋁石榴石是光波長在0.8至1,2μm激
激光晶體所使用的固體作業(yè)物質(zhì),就是將具備能發(fā)生受激**效果的金屬離子摻入晶體而制作而成的。在固體中可以發(fā)生受激**效果的金屬離子主要分為三類:1.過渡金屬離子(如Cr3+);2.大部分鑭系金屬離子(如Nd3+、Sm2+、Dy2+等);3.錒系金屬離子(如U3+)。這些摻雜到固體基質(zhì)中的金屬離子的特點是具備比較寬的有效吸收光譜帶,比較高的熒光功率,較長的熒光壽數(shù)和比較窄的熒光譜線,所以易于發(fā)生粒子數(shù)
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