MBR10200：**高效能電子元件技術(shù)解析

時間：2024-08-21作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：157

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• mos管怎么測試好壞

  mos管怎么測試好壞？mos管的檢測方法如下:1.用萬用表測量mos管的直流電阻。2.用萬用表的交流電壓檔測量mos管的工作電壓。3.在電流輸出端接上指針式電流表，測出該端的實際工作電流值(一般取20ma左右)。4.將上述3個數(shù)值相加，即得該器件的放大倍數(shù)。5.根據(jù)被測器件的不同型號和參數(shù)，可以計算出被測器件的放大倍數(shù)、輸入偏置點、負載電阻等參數(shù)。6.如果以上結(jié)果均正常時說明被檢元件是合格產(chǎn)品;否

• 電源管理IC CR6853B具備、低成本、低待機功耗優(yōu)勢

  電源管理IC CR6853B 具備、低成本、低待機功耗優(yōu)勢CR6853B是一款高集成度，低功耗的電流模 PWM 控制芯片，該芯片適用于離線式 AC-DC反激拓撲的小功率電源模塊。芯片可以通過外接電阻改變工作頻率；在輕載和無負載情況下自動進入 PFM 和 CRM，這樣可以有效減小電源模塊的待機功耗，達到綠色節(jié)能的目的。CR6853B具有很低的啟動電流，因此可以采用一個 2 兆歐姆的啟動電阻。為了提高

• 內(nèi)置電源IC CR5229應(yīng)用資料

  CR5229綠色節(jié)能電流模反激PWM功率開關(guān)CR5229是內(nèi)置高壓功率 MOSFET 的電流模反激 PWM 控制芯片，適用于 18W 以內(nèi)的離線式反激開關(guān)電源，具有、低待機功耗、低成本的優(yōu)點。為了保證芯片正常工作，CR5229針對各種故障設(shè)計了一系列完善的具有自動恢復(fù)功能的保護措施，包括軟啟動、過溫保護（OTP）、V DD 欠壓鎖定保護（UVLO）、過壓保護（OVP）及箝位、逐周期電流限制（OCP

• 啟臣微CR6853B屬低成本、低EMI技術(shù)工作原理芯片

  啟臣微CR6853B屬低成本、低EMI技術(shù)工作原理芯片?CR6853B的特征和詳細的工作原理，描述了一種采用CR6853B的反激式隔離AC-DC開關(guān)電源的簡單而的設(shè)計方法。CR6853B為CR6853的ESD特別提高版本，功能和PIN腳完全兼容。芯片特征：1.低成本、PWM&PFM&CRM (周期復(fù)位模式)控制2.低啟動電流(約 3uA)3.低工作電流(約 1.2mA