靈動微ARM Cortex-M內核測試向量生成

時間：2020-01-07

作者：深圳市英尚微電子有限公司

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Everspin一級代理商
Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結構，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供MRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。2006年，Everspin推出業(yè)界**款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日，Everspin M
靈動微電子的產(chǎn)品定位
靈動微電子MCU事業(yè)部表示，目前推出了參考設計方案有平衡車、無人機、電子標簽、LED顯示控制、BLDC無刷電機驅動、打印機、智慧家庭等。將來也還有計劃進入工業(yè)控制、汽車電子和IoT等領域。靈動微電子這三款MCU采用了0.18um的工藝，基于ARM的內核設計。它們分別是則是基于Cortex-M3內核的MM32F103系列MCU，基于Cortex-M0內核的MM32F031系列MCU和MM32P01
MRAM在哪方面適合物聯(lián)網(wǎng)
“事物”是指可以通過傳感器讀取或通過電子方式確定和控制其狀態(tài)的任何事物。通過互聯(lián)網(wǎng)，物聯(lián)網(wǎng)將能夠彼此通信并做出決策，而*人工干預。物聯(lián)網(wǎng)的概念意味著將對象或機器連接到互聯(lián)網(wǎng)，以便可以收集，共享和完善數(shù)據(jù)以支持較高的人類生活質量。可以從云中存儲和訪問應用程序和數(shù)據(jù)。人，應用程序或其他機器做出的決策可以作為控制事物的命令發(fā)布。 MRAM在哪里適合物聯(lián)網(wǎng)？作為快速寫入的非易失性存儲器，MRAM
靈動微ARM Cortex-M內核測試向量生成
靈動微電子基于Arm Cortex-M系列內核開發(fā)的MM32 MCU產(chǎn)品擁有F/L/SPIN/W/P五大系列，200多個型號規(guī)格，累計交付近億顆MCU，在本土通用32位MCU公司中****。靈動微是本土僅有的同時獲得了ARM-KEIL、IAR、SEGGER***組織官方支持的本土MCU公司，是為數(shù)不多的建立了獨立且完善的生態(tài)體系的通用MCU公司，給客戶提供從優(yōu)異芯片產(chǎn)品到**算法、從完備參考設計