醫(yī)療應(yīng)用中的Everspin MRAM

時(shí)間：2020-04-26作者：深圳市英尚微電子有限公司瀏覽：138

深圳市英尚微電子有限公司專注于存儲(chǔ)器芯片IC,SRAM,MRAM,pSRAM,FLASH芯片,SDRAM等

• 詞條

  詞條說明

• 醫(yī)療應(yīng)用中的Everspin MRAM

  Everspin擁有包括40nm，28nm及較高技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的**技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。Everspin生產(chǎn)基于180nm，130nm和90nm工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的MRAM產(chǎn)品。產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，閩臺(tái)和其他亞洲國家。Everspin深圳總代理英尚微電子已交付大量的MRAM芯片供給各行業(yè)領(lǐng)域范圍。 日本Nikkiso是工業(yè)，航空航天和

• 靈動(dòng)微電子的產(chǎn)品定位

  靈動(dòng)微電子MCU事業(yè)部表示，目前推出了參考設(shè)計(jì)方案有平衡車、無人機(jī)、電子標(biāo)簽、LED顯示控制、BLDC無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)、打印機(jī)、智慧家庭等。將來也還有計(jì)劃進(jìn)入工業(yè)控制、汽車電子和IoT等領(lǐng)域。 靈動(dòng)微電子這三款MCU采用了0.18um的工藝，基于ARM的內(nèi)核設(shè)計(jì)。它們分別是則是基于Cortex-M3內(nèi)核的MM32F103系列MCU，基于Cortex-M0內(nèi)核的MM32F031系列MCU和MM32P01

• VTI一級(jí)代理商

  low power sram主要是指低功耗SRAM存儲(chǔ)器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為較重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲(chǔ)器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設(shè)計(jì)變得越來越重要。 Density Org. P/N Vcc(V) Speed(ns) C/S

• Everspin Serial MRAM存儲(chǔ)芯片MR20H40CDF

  Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是*一**的。擁有**過600多項(xiàng)有效**和申請的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品組合，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場良好地位。英尚微電子作為everspin的**代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ).沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。 產(chǎn)品描述 MR20H4