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詞條說明
上海高壓放大器在頻閃成像技術(shù)MEMS離面運(yùn)動(dòng)中的應(yīng)用
MEMS是以微電子技術(shù)為基礎(chǔ),采用硅微加工技術(shù)、光刻鑄造成型(LIGA)和精密機(jī)械加工等多種微加工技術(shù)制作的,關(guān)鍵尺寸在亞微米至亞毫米范圍內(nèi)的微傳感器、微執(zhí)行器和微系統(tǒng)的總稱。其中MEMS動(dòng)態(tài)測試技術(shù),因其能夠測試MEMS三維運(yùn)動(dòng),分析MEMS動(dòng)態(tài)特性、材料特性以及機(jī)械力學(xué)參數(shù)等關(guān)鍵數(shù)據(jù),已成為MEMS測試技術(shù)的重要組成部分。而研究如何在MEMS運(yùn)動(dòng)過程中記錄瞬間運(yùn)動(dòng)狀態(tài),并恢復(fù)MEMS表面的離面
武漢功率放大器在lamb波時(shí)間反轉(zhuǎn)法的脫粘缺陷成像研究中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)名稱:功率放大器基于lamb波時(shí)間反轉(zhuǎn)法的脫粘缺陷成像仿真研究實(shí)驗(yàn)?zāi)康模涸趯?shí)際的大型固體火箭發(fā)動(dòng)機(jī)結(jié)構(gòu)中,復(fù)合材料殼體曲率較小,玻璃纖維也以一定規(guī)律進(jìn)行鋪層,且脫粘是復(fù)合材料殼體/絕熱層界面間主要的缺陷形式,設(shè)計(jì)制備層狀板結(jié)構(gòu)的脫粘試件,并結(jié)合前文時(shí)間反轉(zhuǎn)方法的理論基礎(chǔ)及構(gòu)建的干耦合Lamb波檢測平臺,開展脫粘缺陷成像的仿真及實(shí)驗(yàn)研究。實(shí)驗(yàn)設(shè)備:干耦合探頭、任意信號發(fā)生器、ATA-4051功率
功率放大器是將輸入信號放大到較高功率輸出的重要設(shè)備。在選擇功率放大器時(shí),需要考慮多個(gè)因素,以確保所購買的設(shè)備能夠滿足實(shí)際需求。下面西安安泰將介紹一些功率放大器的關(guān)鍵問題和注意事項(xiàng),幫助大家在功率放大器選購過程中做出明智的決策。一、功率需求首先要考慮的是功率需求。確定所需的輸出功率級別是基本的考慮因素。根據(jù)應(yīng)用需求和所要驅(qū)動(dòng)的負(fù)載類型,要選擇適當(dāng)?shù)墓β史糯笃?,確保其具備所需的功率輸出能力。圖:ATA
核心**技術(shù)自主可控,功率放大器約有30%機(jī)型填補(bǔ)國內(nèi)空白,打破國外壟斷
公司名: 西安安泰電子科技有限公司
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