報(bào)廢晶片不良晶片大量處理

時(shí)間：2023-03-22作者：龐博電子有限公司（中國(guó)香港）瀏覽：110

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  三星晶圓不良晶片電子回收不良晶片 不良晶片 不良晶片 過載保護(hù)過載保護(hù)原理可簡(jiǎn)單表述如下：假設(shè)電路允許的通過電流為Imin，電流為Imax，保護(hù)的器件電流為I，I2表示在規(guī)定時(shí)間范圍內(nèi)，保護(hù)器件有效工作的電流，那么我們可得出公式Imax≤I≤Imin1）I2≤1.45Imin2）值得注意的是，多種因素都會(huì)對(duì)電生一定的影響，如溫度、多芯電纜、機(jī)床設(shè)備的安裝密度等，因此要想機(jī)床設(shè)備正常工作，必須要確保