LPCVD設(shè)備

時間：2014-10-22作者：青島福潤德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：77

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• 立式真空爐

  空爐（vacuum furnace）是真空環(huán)境中進行加熱的設(shè)備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統(tǒng)聯(lián)接。爐膛真空度可達133×(10-2～10-4)h。爐內(nèi)加熱系統(tǒng)可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱，也可用高頻感應(yīng)加熱。較高溫度可達3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊，以及陶瓷-金屬封接等。 目 錄 1概述 2構(gòu)造 3原理 4功能 5

• LPCVD設(shè)備

  LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用 低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優(yōu)點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問題，提

• 等離子增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD)

  ? 等離子增強化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)(PECVD) PECVD（等離子增強化學(xué)氣相淀積）設(shè)備是一種用于在基片上生成高質(zhì)量SiNx和SiO2薄膜的**設(shè)備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調(diào))，特別適用于半導(dǎo)體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。 產(chǎn)品特點： 1、膜質(zhì)量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機（易漏大氣而

• 太陽能擴散爐

  太陽能電池擴散工藝及其設(shè)備 太陽能電池擴散工藝及其設(shè)備 ????技術(shù)方案是：一種太陽能電池擴散工藝，在太陽能電池擴散工藝中通控制抽氣排風(fēng)壓力，使抽氣排風(fēng)壓力這個參數(shù)保持穩(wěn)定，抽氣排風(fēng)壓力這個參數(shù)保持穩(wěn)定，抽氣排風(fēng)壓力的穩(wěn)定導(dǎo)致辭磷在硅片中的注入濃度穩(wěn)定，使加工后得到的硅片的方塊電池保持穩(wěn)定，在后道的燒結(jié)中可以匹配出高效的太陽能電池。抽氣排風(fēng)壓力通過在機臺排