詞條
詞條說(shuō)明
MJL4302A測(cè)試記錄 測(cè)試目的:測(cè)試MJL4302A的合格率 測(cè)試項(xiàng)目: 1.測(cè)試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 2.測(cè)試正向飽和壓降 測(cè)試工具: 20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源、三極管MJL4302A、DF-80A 測(cè)試具體方法: 1.測(cè)試Vceo集電極**較反向擊穿電壓 用20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源的高壓輸出端測(cè)試三極管MJL4302A的Vceo,具體連線圖如下(下文的20K
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4
AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊,主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域!
AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊,主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域! 該模塊在原有基礎(chǔ)上,將工作頻率提高到2kHz,自身消耗功率小于5W,體積小巧,很容易和激光器集成在一起。同時(shí)模塊增加了和激光打標(biāo)卡的接口,直接用于現(xiàn)有各種打標(biāo)軟件系統(tǒng)。
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