針對(duì)美容機(jī)行業(yè)，公司較新推出100Hz調(diào)Q模塊和1Khz調(diào)Q模塊。

時(shí)間：2020-01-05作者：長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：2074

長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測(cè)試儀,TEC溫度控制器等

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  詞條說(shuō)明

• 肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄

  肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測(cè)試記錄 測(cè)試器件 MUR3040PT(ON) 測(cè)試項(xiàng)目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測(cè)試方法 1.測(cè)試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測(cè)試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管，測(cè)試二極管的反向擊穿電壓。測(cè)試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示，紅線所示連接1，黑線連接二極管2，撥動(dòng)一下20KV穩(wěn)壓電源的測(cè)試按鈕，即可在顯示屏上顯示二極管的反向電

• AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域！

  AIKS推出2kHz電光調(diào)Q模塊，主要應(yīng)用于激光打標(biāo)機(jī)領(lǐng)域！ 該模塊在原有基礎(chǔ)上，將工作頻率提高到2kHz，自身消耗功率小于5W，體積小巧，很容易和激光器集成在一起。同時(shí)模塊增加了和激光打標(biāo)卡的接口，直接用于現(xiàn)有各種打標(biāo)軟件系統(tǒng)。

• 首創(chuàng)：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！

  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開(kāi)關(guān)。電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點(diǎn)！但是正是由于較高的開(kāi)關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會(huì)形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開(kāi)關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器通過(guò)導(dǎo)線和晶體連接，連接導(dǎo)線等效為一個(gè)諧振電感L，晶體等效為一個(gè)諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過(guò)程是一個(gè)高壓窄脈沖過(guò)程，高壓脈

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買(mǎi)的IRF4