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圖1 產(chǎn)品外觀圖 一、 概述 PID控制溫度的參數(shù)、適應(yīng)的溫度范圍有限,50~1300℃大溫度范圍的控制,一般采用多點曲線升溫的方式,單一的PID參數(shù)容易引發(fā)高溫段或者低溫段的震蕩現(xiàn)象,引發(fā)系統(tǒng)失調(diào),損壞電熱絲和熱電偶,經(jīng)過長期的實驗調(diào)試,這里推出多參數(shù)PID控制電源,用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在前面板引入較大輸出功率限制調(diào)節(jié)旋鈕,通過設(shè)定旋鈕位置,保證了加熱系統(tǒng)的安全;電源前
AIKS較新隆重推出0-80V高精度可調(diào)高壓電源
AIKS較新隆重推出0-80V高精度可調(diào)高壓電源 AIKS研究人員經(jīng)過反復(fù)的研發(fā)和測試,成功的開發(fā)出適用靜電紡絲,高壓靜電除塵,高壓X射線發(fā)射器等的高精度可調(diào)高壓電源。 ? 該電源采用了全橋軟開關(guān)技術(shù),使得電源效率大大提高;公司成功克服高功率密度下的絕緣散熱問題,將電源體積大大減小,同時電源允許在**滿負荷的情況下24小時工作。該產(chǎn)品輸出的較大電壓可達80kv,電壓80kv時電流可達到6.67
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
MJL4302A測試記錄 測試目的:測試MJL4302A的合格率 測試項目: 1.測試Vceo集電極發(fā)射較反向擊穿電壓 2.測試正向飽和壓降 測試工具: 20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源、三極管MJL4302A、DF-80A 測試具體方法: 1.測試Vceo集電極發(fā)射較反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源的高壓輸出端測試三極管MJL4302A的Vceo,具體連線圖如下(下文的20K
公司名: 長春艾克思科技有限責(zé)任公司
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 0431-81672978
手 機: 15604406391
微 信: 15604406391
地 址: 吉林長春朝陽區(qū)長春市朝陽區(qū)人民大街A座7655號航空國際A座403-1室
郵 編:
網(wǎng) 址: ccaiks.cn.b2b168.com
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