MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時(shí)間：2016-06-29作者：長(zhǎng)春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：181

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• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

  MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計(jì)的需求時(shí)就遇到了并聯(lián)mos管的問(wèn)題。并聯(lián)mos管的兩大問(wèn)題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測(cè)試從某網(wǎng)店購(gòu)買的IRF4

• **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！

  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開(kāi)關(guān)。電光調(diào)Q開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點(diǎn)！但是正是由于較高的開(kāi)關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會(huì)形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開(kāi)關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動(dòng)器通過(guò)導(dǎo)線和晶體連接，連接導(dǎo)線等效為一個(gè)諧振電感L，晶體等效為一個(gè)諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過(guò)程是一個(gè)高壓窄脈沖過(guò)程，高壓脈

• MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析

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• 0-45A??高精度積木式LD半導(dǎo)體激光器恒流源

  0-45A??高精度積木式LD半導(dǎo)體激光器恒流源 (型號(hào)：PWR-45A-20V) 應(yīng)用范圍：LD激光器驅(qū)動(dòng)光纖激光器激光打標(biāo)機(jī)高頻調(diào)Q激光 優(yōu)點(diǎn)：**：結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單且容易實(shí)現(xiàn)任意大小電流輸出，使用子模塊搭積木式結(jié)構(gòu)，客戶維護(hù)方便快捷。 *二：基于子模塊高精度、高效率的特點(diǎn)，系統(tǒng)也具有精度高，效率**高特點(diǎn)。 *三：系統(tǒng)母板上再設(shè)過(guò)流、過(guò)熱保護(hù)，使得恒流源半導(dǎo)體激光器橫流驅(qū)動(dòng)源高可靠性。