MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析

時間：2016-06-29作者：長春艾克思科技有限責任公司瀏覽：176

長春艾克思科技有限責任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測試儀,TEC溫度控制器等

• 詞條

  詞條說明

• 電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品

  電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品 ??? 我公司研制的電光調(diào)Q驅(qū)動器已經(jīng)成為系列產(chǎn)品，分別為100Hz、1KHz、5KHz、10KHz、50KHz和200KHz。其中200KHz正在測試階段。

• 肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄

  肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管，測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示，紅線所示連接1，黑線連接二極管2，撥動一下20KV穩(wěn)壓電源的測試按鈕，即可在顯示屏上顯示二極管的反向電

• 肖特基二極管的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄

  肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 ? 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 ? 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管，測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示，紅線所示連接1，黑線連接二極管2，撥動一下20KV穩(wěn)壓電源的測試按鈕，即

• MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析

  MOS管并聯(lián)均流技術分析 IGBT管并聯(lián)均流技術分析 BJT?管并聯(lián)均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4