MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析

時間：2016-06-29作者：長春艾克思科技有限責(zé)任公司瀏覽：153

長春艾克思科技有限責(zé)任公司專注于調(diào)Q電源,二極管測試儀,TEC溫度控制器等

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  **：5kHz電光調(diào)Q電源增加壓電振鈴效應(yīng)抑制功能！ 電光調(diào)Q開關(guān)是利用晶體的電光效應(yīng)制成的Q開關(guān)。電光調(diào)Q開關(guān)的開關(guān)速度快、器件的效率高等優(yōu)點！但是正是由于較高的開關(guān)速度，在調(diào)Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應(yīng)，這一效應(yīng)增大了調(diào)Q開關(guān)的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應(yīng)：調(diào)Q驅(qū)動器通過導(dǎo)線和晶體連接，連接導(dǎo)線等效為一個諧振電感L，晶體等效為一個諧振電容C，如圖1所示；電光調(diào)Q過程是一個高壓窄脈沖過程，高壓脈