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詞條說明
1. 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor簡(jiǎn)稱(FET))通稱場(chǎng)效應(yīng)管。關(guān)鍵有三種種類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬材料 - 金屬氧化物半導(dǎo)體材料場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,通稱MOS-FET)。由大部分自由電子參加導(dǎo)電性,也稱之為單級(jí)型電子管。它歸屬于電壓操縱型半導(dǎo)體元器件。具備輸入阻抗高(10
100-300W正激類電源模制器芯片啟達(dá)CR1252
100-300W正激類電源模制器芯片啟達(dá)CR1252CR1252芯片特點(diǎn):1.封裝SOP-8L2.內(nèi)置斜坡補(bǔ)償3.內(nèi)置LEB消隱功能4.內(nèi)置輸入欠壓自動(dòng)恢復(fù)5.內(nèi)置軟啟動(dòng)減小開關(guān)管應(yīng)力6.可優(yōu)化EMI功能7.峰值電流得到限制應(yīng)用范圍:1.PC電源2.適配器3.正激轉(zhuǎn)換器CR1252是一款性能高的電流控制芯片,其工作原理在正激工作模式,內(nèi)部工作外置頻率可調(diào)引腳,通過選擇電阻來調(diào)整芯片的工作頻率,芯片
分析肖特基二管的優(yōu)勢(shì)與結(jié)構(gòu)應(yīng)用
分析肖特基二管的優(yōu)勢(shì)與結(jié)構(gòu)應(yīng)用? ?一、肖特基二管具有的優(yōu)勢(shì)肖特基二管MBR系列快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)時(shí)間使它們非常適合高頻應(yīng)用,并能大程度降低開關(guān)損耗。肖特基二管與普通的PN結(jié)二管不同。是使用N型半導(dǎo)體材料與金屬在一起結(jié)合形成金屬一半導(dǎo)體結(jié)。肖特基二管比普通二管有正向壓降低、反向電荷恢復(fù)時(shí)間短(10ns以內(nèi))等優(yōu)點(diǎn)。二、肖特基二管結(jié)構(gòu)肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二
啟達(dá)CR6890D芯片瞬間大電流是十幾秒主要特點(diǎn)? 較低的啟動(dòng)電流 (大約3μA)? 內(nèi)置軟啟動(dòng)減少M(fèi)OSFET應(yīng)力? CCM+PFM控制模式? 內(nèi)建同步斜坡補(bǔ)償,消除次諧波震蕩? 內(nèi)建頻率抖動(dòng)功能,降低EMI? 內(nèi)置65kHz開關(guān)頻率? 輕載降低工作頻率? 提供長(zhǎng)達(dá)13s倍頻模式? 可編程外置過溫保護(hù)并進(jìn)入latch? VDD過壓保護(hù)和輸出過壓保護(hù)功能并進(jìn)入latch? 內(nèi)置前沿消隱電路? 內(nèi)置
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