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IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高
進口晶閘管供應(yīng)? 常見晶閘管特點用途介紹1、單結(jié)晶體管單結(jié)晶體管(UJT)也稱雙基較二極管。從結(jié)構(gòu)功能上類似晶閘管,它是由1個PN結(jié)和兩只內(nèi)電阻構(gòu)成的三端半導(dǎo)體器件,有一個PN結(jié)和2個基較,具有電路簡單、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。廣泛應(yīng)用于振蕩、定時、雙穩(wěn)電路及晶閘管觸發(fā)等電路。2、單向晶閘管單向晶閘管(SCR)是由PNPN4層3個PN結(jié)組成的,它被廣泛用于可控整流、交流調(diào)壓、逆變器和開關(guān)電源電
進口晶閘管工作原理詳解1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。晶閘管的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應(yīng)較快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是
雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時,外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價鍵中的價電子相碰撞,把價電子撞出共價鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)性損壞。標準二極管模塊特點:*JEDEC TO-240 AA **標準封裝*直接銅敷
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