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進(jìn)口晶閘管供應(yīng) 常見晶閘管特點(diǎn)用途介紹
進(jìn)口晶閘管供應(yīng)? 常見晶閘管特點(diǎn)用途介紹1、單結(jié)晶體管單結(jié)晶體管(UJT)也稱雙基較二極管。從結(jié)構(gòu)功能上類似晶閘管,它是由1個(gè)PN結(jié)和兩只內(nèi)電阻構(gòu)成的三端半導(dǎo)體器件,有一個(gè)PN結(jié)和2個(gè)基較,具有電路簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。廣泛應(yīng)用于振蕩、定時(shí)、雙穩(wěn)電路及晶閘管觸發(fā)等電路。2、單向晶閘管單向晶閘管(SCR)是由PNPN4層3個(gè)PN結(jié)組成的,它被廣泛用于可控整流、交流調(diào)壓、逆變器和開關(guān)電源電
測(cè)試可控硅模塊的升溫3個(gè)方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測(cè)定:在距被測(cè)可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì),溫度計(jì)測(cè)點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)
IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí),漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū),則正反
**名稱:平板式可控硅的制作方法技術(shù)領(lǐng)域:本實(shí)用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術(shù):可控硅又稱晶間管,晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長(zhǎng)等諸多優(yōu)點(diǎn),發(fā)展迅猛。在世紀(jì)應(yīng)用中,大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅,其特點(diǎn)是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式,雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱,但因?yàn)樘沾晒に囈姿椤㈦s質(zhì)難控制等特點(diǎn),其加工
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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電 話: 0512-36886603
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