高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測試？

時間：2020-06-23作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：107

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  詞條說明

• 可控硅調(diào)速原理

  可控硅調(diào)速是用改變可控硅導(dǎo)通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調(diào)速的目的。當(dāng)可控硅導(dǎo)通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導(dǎo)通狀態(tài);當(dāng)可控硅導(dǎo)通角<180時,即非全導(dǎo)通狀態(tài),電壓有效值減小;導(dǎo)通角越小,導(dǎo)通狀態(tài)越少,則電壓有效值越小,所產(chǎn)生的磁場越小,則電機的轉(zhuǎn)速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調(diào)速其電機的轉(zhuǎn)速可連續(xù)調(diào)節(jié)。CPU⑥腳輸出的驅(qū)動信號經(jīng)Q5放

• 【二極管模塊】二極管工作原理

  二極管工作原理二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。?當(dāng)外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起

• 整流橋模塊

  整流橋是橋式整流電路的實物產(chǎn)品，那么實物產(chǎn)品該如何接線到實際電路中呢？一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明，工程設(shè)計接線圖的時候已經(jīng)將安裝方式固定下來了，那么在實際應(yīng)用過程中只需要，對應(yīng)線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種，一個是實物產(chǎn)品與電路圖的對應(yīng)方式。左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，B3作為整流正極輸出，C4作為整流負(fù)極輸出，A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式，

• 高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測試？

  其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級1200V，電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點，可以達到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點，新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅(qū)動對