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國內(nèi)啟達(dá)CR6345屬通用型內(nèi)置MOS-PSR功率開關(guān)
國內(nèi)啟達(dá)CR6345屬通用型內(nèi)置MOS-PSR功率開關(guān)CR6245 CR6345 系列采用反激式電路拓?fù)?,輸出和輸入高壓使用變壓器隔離。在這種反激拓?fù)渲?,開關(guān)管導(dǎo)通時(shí),變壓器儲(chǔ)存能量,負(fù)載電流由輸出電容提供;開關(guān)管關(guān)斷時(shí),變壓器將儲(chǔ)存的能量傳遞到負(fù)載和輸出濾波電容,以補(bǔ)償電容單提供負(fù)載電流所消耗的能量。芯片特點(diǎn): CC/CV 控制,無需光耦和 TL431內(nèi)置 600V 功率開關(guān) MOSFET低的啟
高性能MP6901DJ SOT23-6芯片應(yīng)用解析
高性能MP6901DJ SOT23-6芯片應(yīng)用解析高性能MP6901DJ芯片是一款功能強(qiáng)大的音頻處理芯片,采用SOT23-6封裝形式。該芯片在音頻信號處理方面具有很高的性能,廣泛應(yīng)用于各類音頻設(shè)備中。本文將對該芯片的應(yīng)用進(jìn)行解析。一、芯片特點(diǎn)MP6901DJ芯片具有以下特點(diǎn):1. 高性能音頻處理:該芯片內(nèi)置高性能音頻處理算法,能夠提供高質(zhì)量的音頻信號。2. 功耗低:由于芯片內(nèi)部集成有電源管理電路,
7812晶體管 廠家供應(yīng)直流參數(shù)1:共射直流放大系數(shù)2:共基直流放大系數(shù)當(dāng) 可忽略時(shí), 。3:間的反向電流是發(fā)射開路時(shí),集電結(jié)的反向飽和電流。是基開路時(shí),集電與發(fā)射間的穿透電流, 。同一型號的管子,反向電流愈小,性能愈穩(wěn)定。選用管子時(shí), 與 應(yīng)盡量小。硅管比鍺管的間反向電流小2 3個(gè)數(shù)量級,因此溫度穩(wěn)定性也比鍺管好。交流參數(shù)——是描述晶體管對于動(dòng)態(tài)信號的性能指標(biāo)1:共射交流電流放大系數(shù)
“模擬芯片”與“數(shù)字芯片”的區(qū)別?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,名詞非常多。這幾天遇到了“模擬芯片”與“數(shù)字芯片”兩個(gè)概念,該如何去理解呢?1.模擬芯片主要指電源管理芯片和信號鏈芯片,主要應(yīng)用于電源模塊中。電源管理芯片是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對電能的變換、分配、檢測及其他電能管理的職責(zé)芯片。主要分為交流-直流轉(zhuǎn)換、直流和直流電壓轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)器、交流與直流穩(wěn)壓電源。如目前手機(jī)快充充電器中核心部件就是模擬芯片。信號
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