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儲(chǔ)能電源管理芯片CR6842S SOP-8L 啟達(dá)
儲(chǔ)能電源管理芯片CR6842S SOP-8L 啟達(dá)CR6842S芯片特征:?* 高集成特性可使系統(tǒng)外部器件減至最少?* 低的啟動(dòng)電流:7.5uA(Typ)、低的工作電流:3mA(Typ)?* 內(nèi)置頻率抖動(dòng)以改善 EMI 特性?* 內(nèi)置前沿消隱(LEB)電路和同步斜率補(bǔ)償??* 為改善效率和最小待機(jī)功耗而設(shè)計(jì)的 Hiccup Mode &a
“模擬芯片”與“數(shù)字芯片”的區(qū)別?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,名詞非常多。這幾天遇到了“模擬芯片”與“數(shù)字芯片”兩個(gè)概念,該如何去理解呢?1.模擬芯片主要指電源管理芯片和信號(hào)鏈芯片,主要應(yīng)用于電源模塊中。電源管理芯片是在電子設(shè)備系統(tǒng)中擔(dān)負(fù)起對(duì)電能的變換、分配、檢測(cè)及其他電能管理的職責(zé)芯片。主要分為交流-直流轉(zhuǎn)換、直流和直流電壓轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)器、交流與直流穩(wěn)壓電源。如目前手機(jī)快充充電器中核心部件就是模擬芯片。信號(hào)
淺析肖特基二管損壞的具體原因? ? ?1、運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任,對(duì)外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至二天上午6點(diǎn)之間)不了解,或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障,運(yùn)行人員沒有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理,產(chǎn)生過電壓而將肖特基二管擊穿損壞。2、運(yùn)行條件惡劣。間接傳動(dòng)的發(fā)電機(jī)組,因轉(zhuǎn)速之比的計(jì)算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的要求,使發(fā)電機(jī)長(zhǎng)期處于高轉(zhuǎn)速下運(yùn)行
內(nèi)建頻率抖動(dòng)功能可降低EMI的芯片CR6889B
啟達(dá)啟臣微CR6889B高能效綠色節(jié)能PWM控制器特性? 較低的啟動(dòng)電流 (大約3μA)? 軟啟動(dòng)減少開機(jī)時(shí)MOSFET的漏源電壓應(yīng)力? 內(nèi)建同步斜坡補(bǔ)償,消除次諧波震蕩? 內(nèi)建頻率抖動(dòng)功能,降低EMI? 內(nèi)置65kHz開關(guān)頻率? 輕載降低工作頻率? VDD過壓保護(hù)和輸出過壓保護(hù)功能? 內(nèi)置消隱電路? 內(nèi)置輸出二管短路保護(hù)? 過載保護(hù)? CR6889B?SOT23-6L封裝CR6889B
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