詞條
詞條說(shuō)明
高度集成并擁有保護(hù)功能的PWM控制器難找?快來(lái)看看CR6863方案吧
CR6863B是一款高集成度、低待機(jī)功耗的CCM+PFM混合電流模式PWM控制器。CR6863B輕載時(shí)會(huì)降低頻率,低頻率22kHz可避免音頻噪聲。CR6863B提供了完整的保護(hù)功能,如電流限制、OCP\OTP\VDD\OVP\UVLO等。軟啟動(dòng)功能可以減少系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)MOS場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)力,消隱時(shí)間簡(jiǎn)化了系統(tǒng)應(yīng)用。通過(guò)頻率抖動(dòng)和軟驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì),降低開(kāi)關(guān)躁聲,簡(jiǎn)化了EMI設(shè)計(jì),CR6863B還提供VD
肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)肖特基(Schottky)二管也稱肖特基勢(shì)壘二管(簡(jiǎn)稱SBD),是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成的二管,其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌。s0.45V),反向恢復(fù)時(shí)間短和開(kāi)關(guān)損耗小,是一種低功耗、高速半導(dǎo)體器件。肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽(yáng)金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場(chǎng)消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、
晶體管的定義嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二管(二端子)、三管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管(后三者均為三端子)等。晶體管有時(shí)多指晶體三管。三端子晶體管主要分為兩大類:雙性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET,單性)。晶體管有三個(gè)(端子);雙性晶體管的三個(gè)(端子),分別是由N型、P型半導(dǎo)體組成的發(fā)射(Emitter)、基(Base) 和集電(Collect
國(guó)內(nèi)啟達(dá)CR6345屬通用型內(nèi)置MOS-PSR功率開(kāi)關(guān)
國(guó)內(nèi)啟達(dá)CR6345屬通用型內(nèi)置MOS-PSR功率開(kāi)關(guān)CR6245 CR6345 系列采用反激式電路拓?fù)?,輸出和輸入高壓使用變壓器隔離。在這種反激拓?fù)渲?,開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí),變壓器儲(chǔ)存能量,負(fù)載電流由輸出電容提供;開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),變壓器將儲(chǔ)存的能量傳遞到負(fù)載和輸出濾波電容,以補(bǔ)償電容單提供負(fù)載電流所消耗的能量。芯片特點(diǎn): CC/CV 控制,無(wú)需光耦和 TL431內(nèi)置 600V 功率開(kāi)關(guān) MOSFET低的啟
公司名: 深圳市維品佳科技有限公司
聯(lián)系人: 陳小姐
電 話: 0755-83295855
手 機(jī): 13714234168
微 信: 13714234168
地 址: 廣東深圳福田區(qū)振中路鼎城**大廈605
郵 編:
網(wǎng) 址: jsd666.cn.b2b168.com
啟達(dá)高能效PSR+CCM+QR節(jié)能PWM控制器CR6520A
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源芯片CR6900HS SOP-7L 啟達(dá)品牌
智能設(shè)備充電器 CR6213S SOP-8L 啟達(dá)
智能設(shè)備充電器 CR6213A SOP-8L 啟達(dá)
供應(yīng)穩(wěn)壓三極管78L05G-AB3-R(W1) UTC品牌 SOT-89-3
新品推桿電源芯片CR6900HS SOP-7L 啟達(dá)
氮化鎵快充方案150W CR5865AS SOP-8L 啟達(dá)
氮化鎵快充方案65W CR5865DW DFN8*8-8 啟達(dá)品牌
公司名: 深圳市維品佳科技有限公司
聯(lián)系人: 陳小姐
手 機(jī): 13714234168
電 話: 0755-83295855
地 址: 廣東深圳福田區(qū)振中路鼎城**大廈605
郵 編:
網(wǎng) 址: jsd666.cn.b2b168.com