mos管三個(gè)引腳怎么區(qū)分

時(shí)間：2023-11-07作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：162

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  詞條說明

• CR5259是一款具有優(yōu)化的圖騰驅(qū)動(dòng)電路以及電流模式PWM控制器

  CR5259是一款具有優(yōu)化的圖騰驅(qū)動(dòng)電路以及電流模式PWM控制器CR5259是一款采用內(nèi)置高壓功率MOSFET，具有優(yōu)化的圖騰驅(qū)動(dòng)電路以及電流模式PWM控制器，適用于待機(jī)功耗<75mW的小功率AC/DC電源適配器、充電器電源。CR5259在重載或中等負(fù)載時(shí)，工作在PWM模式，頻率為65kHz。當(dāng)負(fù)載逐漸減小時(shí)，振蕩器的工作頻率逐漸降低，后穩(wěn)定在 22kHz左右。在空載和輕載時(shí)，電路采用間歇模

• 肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

  肖特基二管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)肖特基（Schottky）二管也稱肖特基勢(shì)壘二管（簡(jiǎn)稱SBD），是由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘層為基礎(chǔ)制成的二管，其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌。s0.45V），反向恢復(fù)時(shí)間短和開關(guān)損耗小，是一種低功耗、高速半導(dǎo)體器件。肖特基二管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、

• 啟臣微CR6853B屬低成本、低EMI技術(shù)工作原理芯片

  啟臣微CR6853B屬低成本、低EMI技術(shù)工作原理芯片?CR6853B的特征和詳細(xì)的工作原理，描述了一種采用CR6853B的反激式隔離AC-DC開關(guān)電源的簡(jiǎn)單而的設(shè)計(jì)方法。CR6853B為CR6853的ESD特別提高版本，功能和PIN腳完全兼容。芯片特征：1.低成本、PWM&PFM&CRM (周期復(fù)位模式)控制2.低啟動(dòng)電流(約 3uA)3.低工作電流(約 1.2mA

• CR5445是內(nèi)置高壓功率 MOSFET 的電流模反激 PWM 控制芯片

  CR5445100kHz? 綠色節(jié)能電流模反激 PWMCR5445主要特點(diǎn)?? 內(nèi)置 2ms 軟啟動(dòng)以降低功率管開機(jī)尖峰電流?? 采用輕載降頻設(shè)計(jì)，以提率和降低待機(jī)功耗?? 采用頻率抖動(dòng)以達(dá)到好的 EMI 性能?? SENSE 峰值電流檢測(cè)輸入端內(nèi)置消隱功能?? 無音頻噪聲工作模式?? 固定工作頻率：100kHz?