EL6N137：高性能的電子器件解決方案

時間：2024-08-15作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：89

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• 維品佳專注行業(yè)15年,常用場效應(yīng)管MOS管選型表

  維品佳專注行業(yè)15年,常用場效應(yīng)管MOS管選型表SSS2N60B50只/管 1K/盒TO-220FSSP2N60B50只/管 1K/盒TO-220FQPF2N60C50只/管 1K/盒TO-220FFQP2N60C50只/管 1K/盒TO-220SSS4N60B50只/管 1K/盒TO-220FFQPF5N60C50只/管 1K/盒TO-220FFQP5N60C50只/管 1K/盒TO-220SS

• 綠色節(jié)能電流模反激PWM功率開關(guān)CR5229的主要特點(diǎn)與應(yīng)用

  CR5229綠色節(jié)能電流模反激PWM功率開關(guān)CR5229主要特點(diǎn) z 內(nèi)置 4ms 軟啟動以降低功率管開機(jī)尖峰電流z 采用輕載降頻設(shè)計，以提率和降低待機(jī)功耗z 采用頻率抖動以達(dá)到好的 EMI 性能 z SENCE 峰值電流檢測輸入端內(nèi)置消隱功能z 無音頻噪聲工作模式 z 固定工作頻率：50KHz z 內(nèi)置斜坡補(bǔ)償 z 低的啟動電流和工作電流 z 欠壓鎖定保護(hù)（UVLO） z 過載保護(hù)(OLP)

• 肖特基二管的優(yōu)缺點(diǎn)

  肖特基二管的優(yōu)勢SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個方面：1）由于肖特基勢壘高度PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ê驼驂航刀急萈N結(jié)二管低（約低0.2V）。2）由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。SBD的反向恢復(fù)時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間，不同于PN結(jié)二管的反向恢復(fù)時間。由于SBD的反向恢復(fù)電荷非常少，故開關(guān)速度非?？欤_關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應(yīng)用。肖特基二管

• 啟達(dá)CR6890D芯片瞬間大電流是十幾秒

  啟達(dá)CR6890D芯片瞬間大電流是十幾秒主要特點(diǎn)? 較低的啟動電流 (大約3μA)? 內(nèi)置軟啟動減少M(fèi)OSFET應(yīng)力? CCM+PFM控制模式? 內(nèi)建同步斜坡補(bǔ)償，消除次諧波震蕩? 內(nèi)建頻率抖動功能，降低EMI? 內(nèi)置65kHz開關(guān)頻率? 輕載降低工作頻率? 提供長達(dá)13s倍頻模式? 可編程外置過溫保護(hù)并進(jìn)入latch? VDD過壓保護(hù)和輸出過壓保護(hù)功能并進(jìn)入latch? 內(nèi)置前沿消隱電路? 內(nèi)置