詞條
詞條說(shuō)明
CR5269S 是一款的電流控制型PWM開(kāi)關(guān)芯片,滿(mǎn)足六級(jí)能效
CR5269SSK 是一款的電流控制型PWM開(kāi)關(guān)芯片,滿(mǎn)足六級(jí)能效CR5269SSK 是一款的電流控制型 PWM 開(kāi)關(guān),全電壓范圍內(nèi)待機(jī)功耗小于 75mW,滿(mǎn)足能效六標(biāo)準(zhǔn)。為了減少待機(jī)功耗和提升效率,CR5269SSK 集成了多種工作模式。隨著負(fù)載的變化,CR5269SSK 可以工作在三種不同的模式,并且每種模式都做了優(yōu)化。當(dāng)負(fù)載很重時(shí),系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的 PWM(脈沖寬度調(diào)制)模式。當(dāng)負(fù)載變輕時(shí),
CR1252應(yīng)用于正激工作的電流??刂艻CCR1252 是一款電流??刂菩酒?,其工作在正激工作模式,外置內(nèi)部工作頻率可調(diào)引腳,通過(guò)選擇電阻調(diào)整芯片工作頻率,芯片內(nèi)置特的過(guò)載保護(hù)機(jī)制,內(nèi)置線電壓低壓保護(hù)功能,使系統(tǒng)工作安全,可用于 PC 電源,游戲機(jī)電源等領(lǐng)域。芯片采用 SOP-8L 封裝。CR1252特征? 峰值電流限制? 內(nèi)部工作頻率可調(diào),高可達(dá)500kHz? 內(nèi)置頻率抖動(dòng)優(yōu)化EMI? 內(nèi)置軟啟
啟達(dá)原邊QR模式PWM過(guò)來(lái)開(kāi)關(guān)CR3346內(nèi)置650V做5V2A
啟達(dá)原邊QR模式PWM過(guò)來(lái)開(kāi)關(guān)CR3346內(nèi)置650V做5V2ACR3346 ?芯片特性:● CR3346 是內(nèi)置 650V 功率 MOS 管,反激式 QR 原邊控制 PWM 功率開(kāi)關(guān);● 內(nèi)置軟啟動(dòng),內(nèi)置斜坡補(bǔ)償電路,內(nèi)置過(guò)功率補(bǔ)償;● 多模式控制的能效均衡技術(shù),低待機(jī)率滿(mǎn)足能效要求;● 具有“軟啟動(dòng)、OCP、SCP、OTP、OVP 自動(dòng)恢復(fù)等保護(hù)功能;● 電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、較少的外圍元器
肖特基二管用久了,難免會(huì)磕磕碰碰,但是一般情況下肖特基二管損壞的原因是什么呢?肖特基二管損壞常見(jiàn)的原因一、運(yùn)行管理欠佳。值班運(yùn)行人員工作不負(fù)責(zé)任,對(duì)外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點(diǎn)至二天上午6點(diǎn)之間)不了解,或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障,運(yùn)行人員沒(méi)有及時(shí)進(jìn)行相應(yīng)的操作處理,產(chǎn)生過(guò)電壓而將肖特基二管擊穿損壞。二、運(yùn)行條件惡劣。間接傳動(dòng)的發(fā)電機(jī)組,因轉(zhuǎn)速之比的計(jì)算不正確或兩皮帶盤(pán)直徑之比不符合轉(zhuǎn)速之比的
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