電流模控制芯片CR1252應(yīng)用指導(dǎo)

時(shí)間：2021-11-15作者：深圳市維品佳科技有限公司瀏覽：819

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• 敲黑板！！內(nèi)置三管的集成電路和內(nèi)置MOS管的集成電路區(qū)別??！啟達(dá)CR6245 CR6345 CR5213 CR5218描述三管有三種工作狀態(tài)：飽滿、拓寬、截止，靠改動(dòng)基電流來結(jié)束，只在截止和飽滿狀態(tài)切換像是開關(guān)電路。MOS管一樣有三種作業(yè)狀態(tài)，只不過是靠改動(dòng)?xùn)烹妷簛斫Y(jié)束。所以兩種器材都能夠用于仿照和數(shù)字電路。兩種器材各有其優(yōu)缺點(diǎn)，在仿照電路和數(shù)字電路都會(huì)運(yùn)用到。MOS管不只能夠做開關(guān)電路，也能夠做

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  MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金屬氧化物合成半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管），屬于絕緣柵型。在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（高可達(dá)1015Ω）。它也分N溝道管和P溝道管。通常是將襯底（基板）與源S接在一起。?MOS場(chǎng)效應(yīng)管檢

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  啟達(dá)應(yīng)急燈電源管理芯片CR6345 SOP-7LCR6345特征：高精度 CC/CV 控制，無需光耦和 TL431內(nèi)置 600V 功率開關(guān) MOSFET低的啟動(dòng)電流：5uA（Typ）低的工作電流：1mA（Typ）內(nèi)置軟啟動(dòng)功能內(nèi)置前沿消隱電路(LEB)內(nèi)置優(yōu)化 EMI 特性電路內(nèi)置全電壓功率自適應(yīng)補(bǔ)償功能內(nèi)置初級(jí)電感量偏差補(bǔ)償功能內(nèi)置輸出線壓降補(bǔ)償內(nèi)置多重保護(hù)功能CR6345應(yīng)用：手機(jī)、無繩電話、

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  7812晶體管 廠家供應(yīng)直流參數(shù)1：共射直流放大系數(shù)2：共基直流放大系數(shù)當(dāng) 可忽略時(shí)， 。3：間的反向電流是發(fā)射開路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流。是基開路時(shí)，集電與發(fā)射間的穿透電流， 。同一型號(hào)的管子，反向電流愈小，性能愈穩(wěn)定。選用管子時(shí)， 與 應(yīng)盡量小。硅管比鍺管的間反向電流小2 3個(gè)數(shù)量級(jí)，因此溫度穩(wěn)定性也比鍺管好。交流參數(shù)——是描述晶體管對(duì)于動(dòng)態(tài)信號(hào)的性能指標(biāo)1：共射交流電流放大系數(shù)