STC單片機(jī)的特性及缺點(diǎn)解析

時(shí)間：2022-10-03

作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
STC6301D
STC6301D是采用高電池密度的N+P雙溝道增強(qiáng)模式電場(chǎng)效應(yīng)晶體管mos戰(zhàn)壕技術(shù)。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到低并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應(yīng)用如電源管理，其中高側(cè)開關(guān)、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻是被需要的。特征N溝道60v/8.00a,rd(上)=37mr@vgs=10v60v/5.0a,rd=28mω@vgs=4.5vP-溝道-60v/-5.0a,RDS=46mω@v
STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書中文資料PDF
??溝槽式場(chǎng)效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si
臺(tái)產(chǎn)STC4614 NP40V 10A可替代Si4567 AO4614A Si4599DY Si4564DY原廠庫存充足
STANSON 閩臺(tái)司坦森原廠直銷供貨，庫存充足，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，質(zhì)量保證STC4614可替代其它品牌：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量
STN4402參數(shù) 30V 12A 廠家直銷MOS管場(chǎng)效應(yīng)管
產(chǎn)品描述：STN4402是N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯，它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少工作時(shí)的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路特征30V?/?12A，RDS（ON）=?13MΩ（典型值）@?VGS?=?10V30V／10A，RDS（ON）=

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