晶振片故障現(xiàn)象、原因及解決辦法

時(shí)間：2024-01-30作者：鄭州科探儀器設(shè)備有限公司瀏覽：82

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• 詞條

  詞條說明

• 直流負(fù)壓濺射和直流濺射有什么區(qū)別

  直流負(fù)壓濺射和直流濺射??在直流濺射中，帶正電的離子被吸引到接地的、帶負(fù)電的濺射靶上，從靶材上濺射出原子，然后這些原子在樣品（也稱為襯底）上沉積形成薄膜。通常情況下，濺射靶被接到正，而樣品端（襯底）被接到負(fù)或接地。??? ?然而，有些情況下（如反濺射或偏壓濺射），樣品端會(huì)被接到正以吸引多余的離子，從而實(shí)現(xiàn)清潔襯底表面或形成離子轟擊確保薄膜

• 晶振片故障現(xiàn)象、原因及解決辦法

  探頭故障現(xiàn)象、原因及排除方法1、沉積期間厚度讀數(shù)大跳變a.?不良晶片產(chǎn)生???解決方案：換晶片b.?晶片接近其使用壽命??解決方案：換晶片c.?晶片支承座表面有雜物???解決方案：用酒精或細(xì)砂皮清洗支承座d.?來自濺射源的頻率干涉???解決方案：&n

• 中頻和射頻等離子清洗機(jī)之間的主要區(qū)別是

  1. 工作頻率：40KHz等離子清洗機(jī)的工作頻率為40千赫（40,000赫茲），而13.56MHz等離子清洗機(jī)的工作頻率為13.56兆赫（13,560,000赫茲）。工作頻率不同會(huì)導(dǎo)致設(shè)備清洗效果和適用范圍上的差異。2. 清洗效果：40KHz的低頻等離子清洗對于大多數(shù)材料都可以達(dá)到較好的清洗效果，但對于一些微米或亞微米級別的顆粒或污染物去除效果可能不佳。而13.56MHz高頻等離子清洗則在去除顆粒

• 電感耦合和電容耦合的區(qū)別和應(yīng)用場景

  1. 電感耦合（Inductively Coupled Plasma, ICP）：電感耦合等離子體是通過高頻磁場與等離子體的相互作用來傳遞能量的。在電感耦合的過程中，高頻電流通過螺線管產(chǎn)生高頻磁場，高頻磁場切割等離子體產(chǎn)生渦旋電流，從而將能量傳遞給等離子體。這種方式的優(yōu)點(diǎn)是穩(wěn)定性好，能量傳遞，適用于高密度等離子體的產(chǎn)生，廣泛應(yīng)用于材料刻蝕、沉積和離子輔助沉積等領(lǐng)域。2. 電容耦合（Capaciti