影響磁控濺射中靶中毒的因素有哪些？

時(shí)間：2022-07-20作者：廣東振華科技股份有限公司廣東廣州分公司瀏覽：157

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• 詞條

  詞條說明

• 真空鍍膜設(shè)備的環(huán)境要求

  ? ? ? ? ? 由于真空鍍膜設(shè)備要在真空條件下工作，因此該設(shè)備要滿足真空對(duì)環(huán)境的要求。我國(guó)制減定的各類真空鍍膜設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(包括真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件、真空離子鍍膜設(shè)備、真空濺射鍍膜設(shè)備、真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備)都對(duì)環(huán)境要求作了明確規(guī)定。只有滿足了真空鍍膜設(shè)備對(duì)環(huán)境的要求，才能使該設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)，加上正確的鍍膜工藝，方能生產(chǎn)出合格的鍍膜產(chǎn)品。真空對(duì)

• 影響磁控濺射中靶中毒的因素有哪些？

  一、靶面金屬化合物的形成由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其

• 多弧離子真空鍍膜技術(shù)特點(diǎn)

  離子鍍的原理：離子鍍是在真空室中，利用氣體放電或被蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)粒子轟擊作用的同時(shí)，將蒸發(fā)物或反應(yīng)物沉積在基片上。離子鍍把輝光放電現(xiàn)象、等離子體技術(shù)和真空蒸發(fā)三者**結(jié)合起來， 不僅能明顯地改進(jìn)了膜質(zhì)量，而且還擴(kuò)大了薄膜的應(yīng)用范圍。其優(yōu)點(diǎn)是薄膜 附著力 強(qiáng)，繞射性好，膜材廣泛等。多弧離子鍍工藝的**特點(diǎn)是我們可以通過產(chǎn)生由高度電離的蒸發(fā)物質(zhì)文化組成的等離子體，其中離子之間

• 真空鍍膜設(shè)備價(jià)格

  關(guān)于真空鍍膜設(shè)備價(jià)格問題，一直都是大家較關(guān)心的。今天，廣東振華科技小編就和大家解答一下，真空鍍膜設(shè)備大概多少錢一臺(tái)。 真空鍍膜設(shè)備價(jià)格，也要看工藝，一般來說，蒸發(fā)真空鍍膜設(shè)備機(jī)在15-40萬(wàn)，多弧離子鍍膜設(shè)備在30-120萬(wàn)，磁控濺射鍍膜設(shè)備在60-100萬(wàn)、工具鍍膜設(shè)備在70-100萬(wàn)。 看了上面的價(jià)格，很多小伙伴開始有疑問，為什么真空鍍膜設(shè)備價(jià)格區(qū)間這么大。其實(shí)這也是配置決定的。有的品牌真空