可控硅調(diào)速原理

時間：2020-05-12作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：662

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  詞條說明

• 晶閘管在焊機中的應(yīng)用

  焊機的工況是間歇性的。即晶閘管工作時結(jié)溫升高，停止工作時結(jié)溫降至一定值。再次工作，結(jié)溫在此值的基礎(chǔ)上升高。這里應(yīng)該使用晶閘管設(shè)計實例1中提到的瞬態(tài)熱阻的概念。在這種情況下，熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定。計算公式見圖1。圖1在幾種常見載條件下等效結(jié)溫的計算公式(一)舉例說明。例1:某焊機采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負荷工作時，導(dǎo)角120°。每個晶閘管的平均電流為66.有效電

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  可控硅模塊怎么檢測好壞1、單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制較G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應(yīng)不動。用短線瞬間短接陽極A和控制較G，此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)，阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT檢測

  IGBT檢測判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋，用萬用表測量時，若某一較與其它兩較阻值為無窮大，調(diào)換表筆后該較與其它兩較的阻值仍為無窮大，則判斷此較為柵較(G )其余兩較再用萬用表測量，若測得阻值為無窮大，調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為**較(E)。判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT 的集電極(C)，紅表筆接IGB