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(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。?(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大,可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中,作短路保護(hù)。?(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器
進(jìn)口晶閘管工作原理詳解1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的一種大功率半導(dǎo)體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。晶閘管的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)較快,在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是
可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor?module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、
IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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電 話: 0512-36886603
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