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詞條說明
IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū),則正反
德國西門康可控硅你了解多少可控硅又稱晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了電子元器件中**的一員,而目前交流調(diào)壓多采用雙向可控硅,它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優(yōu)點,對提高生產(chǎn)效率和降低成本等都有顯著效果,但它也具有過載和抗干擾能力差,且在控制大電感負載時會干擾電網(wǎng)和自干擾等缺點,下面我們來談?wù)効煽毓柙谄涫褂弥腥绾伪苊馍鲜鰡栴}。一、 靈敏度雙向可控硅是一個三端元件,但我們不
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點,可以達到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點,新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅(qū)動對
二極管簡介二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件?。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時,二極管導(dǎo)通。 當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時,二極管截止。 因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開?。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接,構(gòu)成不同功能的電
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