詞條
詞條說(shuō)明
IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。?(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大,可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中,作短路保護(hù)。?(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器
整流橋是橋式整流電路的實(shí)物產(chǎn)品,那么實(shí)物產(chǎn)品該如何接線到實(shí)際電路中呢?一般來(lái)講整流橋4個(gè)腳位都會(huì)有明顯的極性說(shuō)明,工程設(shè)計(jì)接線圖的時(shí)候已經(jīng)將安裝方式固定下來(lái)了,那么在實(shí)際應(yīng)用過程中只需要,對(duì)應(yīng)線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種,一個(gè)是實(shí)物產(chǎn)品與電路圖的對(duì)應(yīng)方式。左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,B3作為整流正極輸出,C4作為整流負(fù)極輸出,A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式,
在中頻爐中整流側(cè)關(guān)斷時(shí)間采用KP-60微秒以內(nèi),逆變側(cè)關(guān)短時(shí)間采用KK-30微秒以內(nèi)這也是KP管與KK管的主要區(qū)別進(jìn)口晶閘管T在工作過程中,它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門較G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。 晶閘管的工作條件: 1. 晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門較承受和種電壓,晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。 2. 晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),僅在
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