原裝** AD8628ARTZ AD8628ARZ AD8629ARMZ AD8629ARZ運(yùn)算放大器

時(shí)間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：118

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 全新原裝 進(jìn)口 STM8L151F3U6TR低功耗8位機(jī)芯片UFQFPN20封裝

  特征 ?運(yùn)行條件 –工作電源：1.65至3.6 V （無(wú)BOR），1.8至3.6 V（有BOR） –溫度范圍：-40至85或125°C ?低功耗功能 –5種低功率模式：等待、低功率運(yùn)行、， 低功耗等待，帶RTC的活動(dòng)暫停，暫停 –每I/0超低泄漏：50毫安 –從停止?fàn)顟B(tài)快速喚醒：5μs ?高級(jí)STM8內(nèi)核 –哈佛體系結(jié)構(gòu)和三階段管道 –最大頻率：16 MHz，16 CISC MIPS峰值 –多達(dá)4

• 原裝** 6N137SDM 光耦6N137 貼片SOP-8 高速光電耦合器

  單通道：6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M雙通道：HCPL2630M、HCPL2631M（初步）高速10MBit/s邏輯門光耦合器 6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M單通道和HCPL2630M、HCPL2631M雙通道光耦合器由一個(gè)850nmAlGaASLED組成，光學(xué)耦合到一個(gè)極快的高速集成光電探測(cè)器邏輯門。此輸出具有一個(gè)打開(kāi)的收集器，因此允許有線或輸出。開(kāi)關(guān)

• 原裝** MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲(chǔ)存器芯片IC

  描述 DDR4sdram是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預(yù)取架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)高速操作。8n-預(yù)取體系結(jié)構(gòu)與一個(gè)接口相結(jié)合，該接口被設(shè)計(jì)用于在輸入/輸出引針的每個(gè)時(shí)鐘周期上傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。 針對(duì)DDR4sdram的單個(gè)READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM核心的單個(gè)8n位寬、四時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的

• 原裝** TPS53015DGSR 絲印53015 貼片VSSOP10 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器芯片

  說(shuō)明 TPS53015 器件是一款單通道、自適應(yīng)導(dǎo)通時(shí)間 DCAP2 ?模式同步降壓控制器。該器件使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員 能夠以經(jīng)濟(jì)高效、低外部組件數(shù)和低待機(jī)電流的解決方 案來(lái)完善包含各種終端設(shè)備電源總線穩(wěn)壓器的套件。 TPS53015 的主控制環(huán)路采用 D-CAP2 模式控制，無(wú) 需外部補(bǔ)償組件即可實(shí)現(xiàn)極快的瞬態(tài)響應(yīng)。自適應(yīng)接通 時(shí)間控制功能可支持較高負(fù)載條件下的 PWM 模式與 輕負(fù)載下的 Eco-