【英飛凌IGBT模塊】IGBT檢測(cè)

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：236

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【二極管模塊】二極管工作原理

  二極管工作原理二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。?當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí)，外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起

• 晶閘管在焊機(jī)中的應(yīng)用

  焊機(jī)的工況是間歇性的。即晶閘管工作時(shí)結(jié)溫升高，停止工作時(shí)結(jié)溫降至一定值。再次工作，結(jié)溫在此值的基礎(chǔ)上升高。這里應(yīng)該使用晶閘管設(shè)計(jì)實(shí)例1中提到的瞬態(tài)熱阻的概念。在這種情況下，熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定。計(jì)算公式見圖1。圖1在幾種常見載條件下等效結(jié)溫的計(jì)算公式(一)舉例說(shuō)明。例1:某焊機(jī)采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負(fù)荷工作時(shí)，導(dǎo)角120°。每個(gè)晶閘管的平均電流為66.有效電

• 可控硅模塊分類

  可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合

• 可控硅模塊的好壞如何判斷？

  方法一：可控硅模塊測(cè)量較間電阻法將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如