詞條
詞條說(shuō)明
可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。可控硅的主要參數(shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未**過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能**
(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級(jí)的線路末端,作為配電支線或電氣設(shè)備的短路保護(hù)用。?(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過(guò)瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機(jī)床電氣控制設(shè)備中。螺旋式熔斷器。分?jǐn)嚯娏鬏^大,可用于電壓等級(jí)500V及其以下、電流等級(jí)200A以下的電路中,作短路保護(hù)。?(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器
方法一:可控硅模塊測(cè)量較間電阻法將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔,如果測(cè)得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí),就說(shuō)明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測(cè)得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí).就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如
二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電
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